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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种减少立体MIM电容值差异性的方法，获取版图MIM层数据，利用其计算关联因子X＝ab，a为版图MIM层图形周长总和，b为版图面积，关联因子用于表征产品表面形貌的复杂程度；根据关联因子获取各产品需形成的电介质层厚度；提供衬底以及形成于衬底上的前层结构，在前层结构上形成层间介质层，在层间介质层上形成多个开口图形，开口图形的底部与前层结构之间保留有部分层间介质层，在开口图形上形成下极板金属层，之后形成位于各开口图形中、且为所需厚度的电介质层，之后形成位于电介质层上的上极板金属层。本发明通过计算关联因子X提前调整电介质层沉积工艺，使MIM电介质层沉积厚度尽可能满足预期，减少不同产品间立体MIM电容值差异。
主权项：1.一种减少立体MIM电容值差异性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、获取版图MIM层数据，利用其计算关联因子X＝ab，a为版图MIM层图形周长总和，b为版图面积，所述关联因子用于表征产品表面形貌的复杂程度；步骤二、根据所述关联因子获取各所述产品需形成的电介质层厚度；步骤三、提供衬底以及形成于所述衬底上的前层结构，在所述前层结构上形成层间介质层，在所述层间介质层上形成多个开口图形，所述开口图形的底部与所述前层结构之间保留有部分所述层间介质层，在所述开口图形上形成下极板金属层，之后形成位于各所述开口图形中、且为所需厚度的电介质层，之后形成位于所述电介质层上的上极板金属层；步骤四、形成填充剩余所述开口图形的填充金属层，之后研磨所述填充金属层、所述上、下极板金属层、所述电介质层至所述层间介质层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 减少立体MIM电容值差异性的方法
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