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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种MIM电容的制造方法，包括：以铜锰合金作为靶材，采用电镀工艺在层间介质层中形成下层金属连线；依次在所述层间介质层上形成第一介质层和中间绝缘层；刻蚀所述第一介质层和中间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽底部的下层金属连线露出；沉积下极板金属层；依次在所述下极板金属上形成第二介质层和黏附层；形成上极板金属层；形成连接至所述上极板金属层的金属连接。本申请通过上述方案，可以减小下层金属连线表面形成孔隙的可能性，提高MIM电容的良率。
主权项：1.一种MIM电容的制造方法，其特征在于，包括：以铜锰合金作为靶材，采用电镀工艺在层间介质层中形成下层金属连线；依次在所述层间介质层上形成第一介质层和中间绝缘层；刻蚀所述第一介质层和中间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽底部的下层金属连线露出；沉积下极板金属层；依次在所述下极板金属上形成第二介质层和黏附层；形成上极板金属层；形成连接至所述上极板金属层的金属连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 一种MIM电容的制造方法
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