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申请/专利权人：湖北大学
摘要：本发明公开了一种纳米花状MoSe2颗粒及其制备方法和在忆阻器中的应用，属于纳米材料和薄膜器件技术领域。本发明以Se粉为Se源，钼酸钠为Mo源，NaBH4为还原剂，溶剂热法的合成方式制备MoSe2，并采用XRD、SEM、XPS、EDS和拉曼光谱等表征手段对材料进行表征来验证合成的MoSe2。接着，本发明采用一步旋涂法旋涂MoSe2悬浮液在ITO导电玻璃上制备MoSe2薄膜，通过在薄膜上蒸镀Al或Ag电极来探究AlMoSe2ITO和AgMoSe2ITO忆阻器的阻变性能。本发明不仅探究操作电压与限制电流对MoSe2忆阻器阻变性能的影响，本发明还采用PET为基底制备了柔性MoSe2忆阻器并对其性能进行探究，研究MoSe2忆阻器在可穿戴器件上的发展。
主权项：1.一种纳米花状MoSe2颗粒的制备方法，其特征在于：所述方法具体包括如下步骤：按配比将水溶性钼盐、Se源和还原剂依次加入到由去离子水和无水乙醇组成的混合溶剂中，搅拌至所得混合反应液呈褐红色；然后将所述混合反应液转移至反应釜中，密封后升温至200℃恒温反应40h；反应结束后，将所得产物冷却至室温，离心，洗涤，干燥，获得所述的纳米花状MoSe2颗粒。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 一种纳米花状MoSe2颗粒及其制备方法和在忆阻器中的应用
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