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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本申请公开了一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、下电极、功能层及上电极，上电极与功能层之间形成的势垒差小于下电极与功能层之间形成的势垒差；功能层包括氧化硅缺氧层，氧化硅缺氧层的氧空位为俘获和释放电荷的陷阱；忆阻器利用氧空位陷阱的电荷俘获和释放机制实现电阻的变化，当在上电极和下电极之间施加负向电压时，电荷从上电极进入氧化硅缺氧层，逐渐被氧空位陷阱俘获，忆阻器的阻值逐渐降低；当在上电极和下电极之间施加正向电压时，电荷从氧化硅缺氧层中移出，逐渐被氧空位陷阱释放，忆阻器的阻值逐渐升高。本申请可有效解决传统离子迁移型忆阻器阵列中漏径电流以及需要大电压Forming问题。
主权项：1.一种氧化硅自整流忆阻器，其特征在于，依次包括衬底、下电极、功能层及上电极，所述上电极与功能层之间形成的势垒差小于所述下电极与功能层之间形成的势垒差；所述功能层包括氧化硅缺氧层，氧化硅缺氧层的氧空位为俘获和释放电荷的陷阱；所述忆阻器利用氧空位陷阱的电荷俘获和释放机制实现电阻的变化，当在所述上电极和下电极之间施加负向电压时，电荷从上电极进入所述氧化硅缺氧层，逐渐被氧空位陷阱俘获，忆阻器的阻值逐渐降低；当在所述上电极和下电极之间施正向电压时，电荷从氧化硅缺氧层中移出，逐渐被氧空位陷阱释放，忆阻器的阻值逐渐升高；所述忆阻器通过对其上电极和下电极之间施加不同大小的电压，可获得稳定的多值存储特性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法
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