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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种多量子阱层及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该多量子阱层的制备方法包括提供一生长所需的N型半导体层；在所述N型半导体层上依次以第一预设温度、第二预设温度、第三预设温度外延生长第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层，其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度小于所述第三预设温度，所述第一多量子阱层、所述第二多量子阱层、所述第三多量子阱层均为预设周期交替层叠设置的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，本发明能够解决现有技术中传统的发光二极管的色温和显色指数较低，色域窄的技术问题。
主权项：1.一种多量子阱层的制备方法，其特征在于，所述多量子阱层的制备方法包括：提供一生长所需的N型半导体层；在所述N型半导体层上依次以第一预设温度、第二预设温度、第三预设温度外延生长第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层，其中，所述第一预设温度小于所述第二预设温度小于所述第三预设温度，所述第一多量子阱层、所述第二多量子阱层、所述第三多量子阱层均为预设周期交替层叠设置的InGaN量子阱层和GaN量子垒层。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种多量子阱层及其制备方法、发光二极管
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