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在编程操作期间减小横向电子场的漏极侧字线电压提升 

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申请/专利权人:美光科技公司

摘要:本公开涉及在编程操作期间减小横向电子场的漏极侧字线电压提升。识别执行编程操作以对与存储器装置的目标字线相关联的一组存储器单元进行编程的请求。在将编程电压施加到所述目标字线期间的第一时间,引起第一经调整通过电压被施加到所述存储器装置的第一组漏极侧字线的第一部分。在将所述编程电压施加到所述目标字线期间的第二时间,引起第二通过电压被施加到所述第一组漏极侧字线的第二部分及所述存储器装置的一或多个源极侧字线,其中所述第一经调整通过电压大于所述第二通过电压。

主权项:1.一种存储器装置,其包括:存储器阵列;及控制逻辑,其可操作地与所述存储器阵列耦合,以执行包括以下的操作:识别执行编程操作以对与所述存储器阵列的目标字线相关联的一组存储器单元进行编程的请求;在将编程电压施加到所述目标字线期间的第一时间,引起第一经调整通过电压被施加到所述存储器装置的第一组漏极侧字线的第一部分;及在将所述编程电压施加到所述目标字线期间的第二时间,引起第二通过电压被施加到所述第一组漏极侧字线的第二部分及所述存储器装置的一或多个源极侧字线,其中所述第一经调整通过电压大于所述第二通过电压。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 美光科技公司 在编程操作期间减小横向电子场的漏极侧字线电压提升

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