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申请/专利权人：恩智浦美国有限公司
摘要：本发明涉及具有漏极有源区域的半导体装置。一种半导体装置包括晶体管的漏极区、直接处于漏极区下方的漏极有源区域、直接处于隔离结构下方的漂移区域以及直接处于晶体管的栅极结构下方的积聚区域。半导体装置包括第一导电类型的、第一浓度的第一选择性掺杂植入物区，第一选择性掺杂植入物区延伸到第一深度。第一选择性掺杂植入物区位于漂移区域、漏极有源区域和积聚区域中。半导体装置包括第一导电类型的、第二浓度的第二选择性掺杂植入物区，第二选择性掺杂植入物区延伸到小于第一深度的第二深度。第二浓度小于第一浓度。第二选择性掺杂植入物区位于漏极有源区域中，但不在积聚区域中。第二选择性掺杂植入物区占据第一掺杂区不占据的漏极有源区域的侧向部分。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：栅极结构，所述栅极结构位于晶体管的衬底上方；所述晶体管的所述衬底中的第一导电类型的源极区；所述晶体管的所述衬底中的第一导电类型的漏极区；所述晶体管的所述衬底中的第二导电类型的沟道区，所述第二导电类型与所述第一导电类型是相对的；隔离结构，所述隔离结构直接侧向地处于所述漏极区与所述沟道区之间；其中所述衬底包括直接处于所述漏极区下方的漏极有源区域、直接处于所述隔离结构下方的漂移区域、以及直接处于所述栅极结构下方且包括直接侧向地位于所述隔离结构与所述沟道区之间的一部分的积聚区域；其中所述衬底包括所述第一导电类型的、第一浓度的第一选择性掺杂植入物区，所述第一选择性掺杂植入物区延伸到第一深度，所述第一选择性掺杂植入物区位于所述漂移区域、所述漏极有源区域和所述积聚区域中，所述第一选择性掺杂植入物区不侧向地占据所述漏极有源区域的全部；其中所述衬底包括所述第一导电类型的、第二浓度的第二选择性掺杂植入物区，所述第二选择性掺杂植入物区延伸到小于所述第一深度的第二深度，所述第二浓度小于所述第一浓度，所述第二选择性掺杂植入物区位于所述漏极有源区域中，但不在所述积聚区域中，其中所述第二选择性掺杂植入物区占据所述第一选择性掺杂植入物区不占据的所述漏极有源区域的侧向部分。
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权利要求：
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