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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种改善非选择外延发射极形貌和电阻的方法，提供衬底，在衬底上形成有STI以定义出HBT器件的有源区，衬底上利用离子注入形成有HBT器件的集电区、赝埋层；衬底上还形成有基区薄膜、多晶硅层；在多晶硅层上形成有开口图形以定义出发射极窗口；利用淀积、刻蚀形成的电介质层，电介质层延伸至开口图形的部分作为发射极隔离层，在发射极隔离层上形成有发射极侧墙；利用Si2H6为硅源，含砷的掺杂气体作为砷源，调节其外延生长温度为500～600℃、压力为10～100Torr，形成位于电介质层上的以及填充剩余开口图形的SiAs外延层，使得开口图形中的SiAs外延层为平坦化形貌。本发明所生长单晶区域的形貌更为平整；电阻率更低，器件的电学性能得到较大提升。
主权项：1.一种改善非选择外延发射极形貌和电阻的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，在所述衬底上形成有STI以定义出HBT器件的有源区，所述衬底上利用离子注入形成有HBT器件的集电区、赝埋层；所述衬底上还形成有基区薄膜、多晶硅层；在所述多晶硅层上形成有开口图形以定义出发射极窗口；利用淀积、刻蚀形成的电介质层，所述电介质层延伸至所述开口图形的部分作为发射极隔离层，在所述发射极隔离层上形成有发射极侧墙；步骤二、利用Si2H6为硅源，含砷的掺杂气体作为砷源，调节其外延生长温度为500～600℃、压力为10～100Torr，形成位于所述电介质层上的以及填充剩余所述开口图形的SiAs外延层，使得所述开口图形中的所述SiAs外延层为平坦化形貌；步骤三、图形化所述基区薄膜、所述外基区多晶硅层、所述电介质层和所述SiAs外延层，以形成基极、外基区和发射极，之后形成用于引出HBT器件的金属互连结构。
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