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申请/专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
摘要：本发明实施例提供一种冷中子转换屏及其制备方法，包括，以镀有铱反射层的硅基底层为基体，并将参有三价铽离子的硫化钆、聚乙烯醇缩丁醛酯作为荧光层旋涂至所述基体得到。基于参有三价铽离子的硫化钆制备而成的荧光层采用与中子具有超高反应截面的参有三价铽离子的硫化钆，通过上述参有三价铽离子的硫化钆制备得到的荧光层的无瑕疵，发光均匀性高，且荧光层厚度可薄至微米级，从而使得上述冷中子转换屏具有超高的探测效率，基于上述冷中子转换屏组成的冷中子成像系统的分辨率达到微米量级。
主权项：1.一种冷中子转换屏，其特征在于，以镀有铱反射层的硅基底层为基体，并将参有三价铽离子的硫化钆、聚乙烯醇缩丁醛酯作为荧光层旋涂至所述基体得到。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种冷中子转换屏及其制备方法
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