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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种用于高带宽低成本滤波器的AlScN薄膜及其制备方法。选取C面SiC键合衬底，首先使用MOCVD生长N极性AlN层，然后在避免表层AlN形成含氧层的情况下，使用PVD生长N极性AlN或AlScN加厚层，获得高质量的单晶压电薄膜材料，应用于高带宽低成本滤波器。该方法使用键合衬底充分降低了衬底成本，先通过MOCVD在C面SiC键合衬底上生长AlN提供统一的极性取向和较好的晶格取向，然后通过PVD保持N极性生长，保证了整体薄膜的较好c轴取向，有效保证了压电常数d33不会因为c轴的反转带来的抵消，并由于PVD生长速度快的特点，进一步降低了成本。
主权项：1.一种AlScN薄膜的制备方法，包括以下步骤：1选取C面SiC键合衬底；2在SiC键合衬底的C面使用金属有机化合物气相沉积生长N极性AlN层；3在避免表层AlN形成含氧层的情况下，使用物理气相沉积生长N极性AlN或AlScN加厚层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种用于高带宽低成本滤波器的Al(Sc)N薄膜及其制备方法
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