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热桥内插器结构 

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申请/专利权人:高通股份有限公司

摘要:公开了用于制造包括半导体器件的装置的装置和技术。该半导体器件可以包括:管芯;包括热桥内插器THBI结构的导热接合部;和基板。该管芯通过该导热接合部联接到该基板,并且该管芯的至少一部分通过该THBI结构联接到该基板。

主权项:1.一种装置,所述装置包括半导体器件,其中所述半导体器件包括:管芯;导热接合部,所述导热接合部包括热桥内插器THBI结构;和基板,其中所述管芯通过所述导热接合部联接到所述基板,并且所述管芯的至少一部分通过所述THBI结构联接到所述基板。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 高通股份有限公司 热桥内插器结构

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