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申请/专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
摘要：半桥整流芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域。传统半桥器件需要将两个二极管芯片反向并联封装，封装工艺流程复杂，封装本体大，造成器件功率密度的降低和成本的增加，本案中半桥整流芯片将两个反向并联的二极管集成在一个芯片上，第一阳极到第一阴极区域的二极管垂直导电，第二阳极到第二阴极区域的二极管水平导电，有效利用了芯片的面积，使用本案中半桥整流芯片只需要封装一个芯片，封装工艺步骤和成本降低，使用本案中半桥整流芯片可以减少一半的芯片使用量，器件功率密度是传统半桥器件的2倍。
主权项：1.半桥整流芯片及其制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100，在衬底（1）上制备第一重掺杂P区（2）；步骤S200，在第一重掺杂P区（2）制备第二轻掺杂N区（3）；步骤S300，在第二轻掺杂N区（3）制备若干第二重掺杂P区（4）；步骤S400，在第二轻掺杂N区（3）制备若干通过第二重掺杂P区（4）相隔的第二重掺杂N区（5）；步骤S500，在衬底（1）上沉积第一隔离层（6）；并在第一重掺杂P区（2）和第二重掺杂N区（5）处开窗，制备第一阳极（7）和第二阴极（9）；步骤S600，在衬底（1）上沉积第二隔离层（13）并在第二重掺杂P区（4）处开窗，制备第二阳极（8）；步骤S700，在衬底（1）底部制备第一阴极（10），整个器件制备完毕。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州扬杰电子科技股份有限公司 半桥整流芯片及其制备方法
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