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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及互连孔槽结构及其制造方法。该方法包括淀积形成扩散阻挡层，在扩散阻挡层上淀积形成ULK绝缘介质层；在ULK绝缘介质层的上表面上形成孔隙率低于ULK绝缘介质层的覆盖层；一体刻蚀所述覆盖层和ULK绝缘介质层形成互连孔槽，在所述覆盖层的保护下对所述ULK绝缘介质层上部的横向刻蚀速率减缓，使得所形成的互连孔槽顶端的宽度缩小，所述上部宽度与下部宽度之间的差距缩小，即互连孔槽的侧壁更趋于垂直，互连孔槽顶端两侧趋于直角。从而一方面能够在填充金属铜形成铜互连线后，使得相邻铜互连线之间的横向电场减弱，另一方面能够提高铜互连线顶端边界处的耐压。
主权项：1.一种互连孔槽结构的制造方法，其特征在于，所述互连孔槽结构的制造方法包括以下步骤：在所述半导体器件上淀积形成扩散阻挡层，在所述扩散阻挡层上淀积形成ULK绝缘介质层；在所述ULK绝缘介质层的上表面上形成孔隙率低于所述ULK绝缘介质层的覆盖层；一体刻蚀所述覆盖层和ULK绝缘介质层形成互连孔槽，在所述覆盖层的保护下对所述ULK绝缘介质层上部的横向刻蚀速率减缓，使得所形成的互连孔槽顶端的宽度缩小，所述上部宽度与下部宽度之间的差距缩小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 互连孔槽结构及其制造方法
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