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一种基于暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片的甲苯气体传感器及其制备方法 

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申请/专利权人:吉林大学

摘要:一种基于暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片的甲苯气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。传感器由外表面两侧带有一对平行环形金电极的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内部的镍铬金属加热线圈组成;敏感材料为暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片。本发明利用介孔纳米片的结构优势,以及Co3O4的{111}晶面更高的Co2+含量和更高的吸附氧能力和催化活性有效提高了传感器对甲苯气体的气敏特性,提高了对甲苯气体的灵敏度,且具有良好的选择性、重复性和1ppm的检测下限,在检测甲苯气体方面有广阔的应用前景。

主权项:1.一种基于暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片的甲苯气体传感器,由外表面两侧带有一对平行环形金电极并在每个金电极上连接两根铂丝导线的Al2O3陶瓷管衬底、涂覆在Al2O3陶瓷管外表面和金电极上的敏感材料、置于Al2O3陶瓷管内部的镍铬金属加热线圈组成;其特征在于:敏感材料为暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片敏感材料,且其由如下步骤得到:(1)将0.28~0.30g硝酸钴加入到45~50mL去离子水中,混合均匀后再加入0.60~0.70g二甲基咪唑,继续搅拌20~30分钟以形成均匀溶液;(2)将步骤(1)得到的均匀溶液放置于油浴锅中在60~65ºC冷凝回流1~1.5小时;待玻璃容器自然冷却至室温后,离心收集沉淀,并用水和乙醇交替清洗沉淀4~6次,再将得到的产物在真空环境70~90ºC下干燥10~20小时得到固体粉末;(3)将步骤(2)得到的固体粉末在空气中300~400ºC下煅烧1.5~3.0小时,升温速率1.5~3.0ºCmin,从而得到所述的暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片。

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权利要求:

百度查询: 吉林大学 一种基于暴露富含Co2+晶面的Co3O4介孔纳米片的甲苯气体传感器及其制备方法

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