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申请/专利权人：青海师范大学;西部机场集团青海机场有限公司
摘要：本实用新型涉及一种双材料栅异质介质垂直型隧穿场效应晶体管，包括：源区、pocket区、沟道区、漏区、隧穿栅介质层、隧穿栅、辅助栅介质层和辅助栅；其中，源区、pocket区、沟道区和漏区自上而下依次设置；隧穿栅介质层环绕在pocket区的外围；隧穿栅环绕在隧穿栅介质层的外围；辅助栅介质层环绕在沟道区的外围，并与隧穿栅介质层接触；辅助栅环绕在辅助栅介质层的外围。通过在pocket区的两侧设置隧穿栅介质层，在沟道区两侧设置辅助栅介质层，使得隧穿栅介质层和辅助栅介质层组成异质栅介质，隧穿栅介质层和辅助栅介质层分别调控pocket区和沟道区，从而同时优化器件的导通电流和关断电流。
主权项：1.一种双材料栅异质介质垂直型隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：源区1、pocket区2、沟道区3、漏区4、隧穿栅介质层5、隧穿栅6、辅助栅介质层7和辅助栅8；其中，所述源区1、所述pocket区2、所述沟道区3和所述漏区4自上而下依次设置；所述隧穿栅介质层5环绕在所述pocket区2的外围；所述隧穿栅6环绕在所述隧穿栅介质层5的外围；所述辅助栅介质层7环绕在所述沟道区3的外围，并与所述隧穿栅介质层5接触；所述辅助栅8环绕在所述辅助栅介质层7的外围。
全文数据：
权利要求：
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