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申请/专利权人:浙江美晶新材料股份有限公司
摘要:本发明公开了一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用,属于坩埚技术领域。该石英坩埚包括由外至内依次设置的气泡层、单质硅掺杂层和透明层;单质硅掺杂层的制备原料包括第一石英砂和单质硅粉末;单质硅粉末在单质硅掺杂层的制备原料中的质量百分数不超过15%。通过在气泡层和透明层之间设置单质硅掺杂层,可提升坩埚在单晶硅拉制过程中的耐高温能力和抗形变能力,有利于延长坩埚使用时间,此外,其还可提升拉单晶硅过程中的温度均匀性,提高保温效果和热能利用效率。
主权项:1.一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚,其特征在于,所述石英坩埚包括由外至内依次设置的气泡层、单质硅掺杂层和透明层;所述单质硅掺杂层的制备原料包括第一石英砂和单质硅粉末;所述单质硅粉末在所述单质硅掺杂层的制备原料中的质量百分数不超过15%;所述第一石英砂的粒径为50μm~170μm,所述第一石英砂的纯度不低于99.99%;所述单质硅粉末的粒径为1μm~50μm,所述单质硅粉末的纯度不低于99.99%;所述单质硅掺杂层由第一石英砂和单质硅粉末混合后制备得到;所述石英坩埚还包括设置于所述透明层的内表面的含钡涂层。
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百度查询: 浙江美晶新材料股份有限公司 一种具有单质硅掺杂层的石英坩埚及其制备方法与应用
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