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申请/专利权人：富士胶片株式会社
摘要：本发明提供一种当对多个细孔填充金属时，抑制对多个细孔的金属填充缺陷，并抑制了由所填充的金属构成的导电体的结构缺陷的金属填充微细结构体、金属填充微细结构体的制造方法及结构体。金属填充微细结构体具有绝缘膜及在绝缘膜的厚度方向上贯穿设置的多个针状导通体。多个导通体分别具有主体部、设置于导通体的至少一个前端的第1区域部、及设置于主体部与第1区域部之间的第2区域部，第1区域部包含第1金属，第2区域部包含第2金属，主体部包含第3金属。第1区域部比第2区域部包含更多的第1金属，第1金属的离子化倾向大于第2金属。
主权项：1.一种金属填充微细结构体，其具有：绝缘膜；及在所述绝缘膜的厚度方向上贯穿设置的多个针状导通体，所述多个所述导通体分别具有主体部、设置于所述导通体的至少一个前端的第1区域部、及设置于所述主体部与所述第1区域部之间的第2区域部，所述第1区域部包含第1金属，所述第2区域部包含第2金属，所述主体部包含第3金属，所述第1金属的离子化倾向大于所述第2金属,所述第1区域部比所述第2区域部及所述主体部包含更多的所述第1金属，所述第2区域部比所述第1区域部及所述主体部包含更多的所述第2金属，所述主体部比所述第1区域部及所述第2区域部包含更多的所述第3金属，当将所述第1金属的离子化倾向设为Q1，将所述第2金属的离子化倾向设为Q2，将所述第3金属的离子化倾向设为Q3时，Q3＜Q2＜Q1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士胶片株式会社 金属填充微细结构体、金属填充微细结构体的制造方法及结构体
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