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申请/专利权人：新疆中亚果树产业研究院有限公司

摘要：本发明公开了一种薰衣草快速生根壮苗的方法，包括以下步骤：1）外植体选择：选取薰衣草种幼苗进行预处理，1‑2天后剪取薰衣草新生枝条茎段；2）生根与壮苗：将剪取的茎段下部叶片去除，保留上端2‑4片叶片，然后插入含有无糖培养液和激素的培养基质中，通过调节培养条件，培养20‑30天后进行移栽；3）移栽及种植：培养好的种苗预处理1‑2天后进行移栽或种植。以薰衣草种植种苗或盆栽种苗幼嫩顶端或茎段为外植体，通过外植体预处理，剪取茎段插入无糖培养液的基质中进行生根与炼苗，繁殖系数高、生根率高、可以保持种苗的优良特性，使后代保持高度一致性，可以实现薰衣草种苗工厂化生产，有利于促进薰衣草规模化种植和生产。

主权项：1.一种薰衣草快速生根壮苗的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）外植体选择：选取薰衣草种幼苗进行预处理，1-2天后剪取薰衣草新生枝条茎段；2）生根与壮苗：将剪取的茎段下部叶片去除，保留上端2-4片叶片，然后插入含有无糖培养液和激素的培养基质中，通过调节培养条件，培养20-30天后进行移栽；3）移栽及种植：培养好的种苗预处理1-2天后进行移栽或种植；所述步骤1）在选取的薰衣草幼苗叶面喷施含有苯醚甲环锉、吡唑醚菌酯的复配药剂进行预处理，1-2天之后剪取2-4cm的茎段；所述步骤2）中无糖培养液为不含蔗糖的12MS培养液；所述激素为0.1-0.2mgL的吲哚丁酸（IBA）；所述步骤2）中培养基质为蛭石、珍珠岩、沙、泥炭土；无糖营养液与基质体积比为（600-800）ml：（1000-1500）ml；所述步骤2）薰衣草茎段插入基质后，在温度为20-23℃，每天的光照时间为14-16h，光照强度为2000-5000lx的培养室中预培养1-2天后，温度调整为23-25℃，光照强度调整为6000-10000lx，每天的光照时间调整为14-16h；所述培养室内CO2浓度调整在1000-2000PPm，在光照时间内每供气15min暂停20-30min后再供气15min，如此反复；以后每隔两天供气量逐渐增加200mlmin，一直增加到1600-2000mlmin；所述步骤3）中培养好的种苗打开培养盒盖，培养室的温度为23-27℃，培养室的光照强度为8000-12000lx，培养室每天的光照时间为14-16h，保持培养室内CO2浓度为1000-2000PPm，培养1-2天后进行移栽和种植。

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