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申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明提出一种包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法，提供的方案包括透明电极层，图案化处理的第一型半导体层、多量子阱层和具有表面微结构的第二型半导体层、二氧化硅保护层、具有高反射性质的金属电极层；其中，多量子阱层在第一型半导体层的圆台型图案上直接生长，多量子阱层表面包覆在第一型半导体的圆台型图案上，以增大出光面积，提高器件的发光亮度，并且可以释放GaN与蓝宝石衬底之间的应变力，抑制量子阱限制斯塔克效应，增加LED的内量子效率。同时，第二型半导体上的表面微结构为周期性光栅阵列结构，以及整体梯形存在一定的倾斜角度的结构，能够减少第二型半导体和透明电极之间高折射率差带来的全反射，从而提高LED的外量子效率。
主权项：1.一种包覆式多量子阱NLED阵列结构，其特征在于，包括：金属电极层；位于所述金属电极层上的图案化处理的第一型半导体层；表面包覆在所述第一型半导体的图案上的多量子阱层；表面包覆所述第一型半导体层和多量子阱层的具有表面微结构的第二型半导体层；填充所述第二型半导体层的周部的二氧化硅保护层；位于所述第二型半导体层和二氧化硅保护层上的透明电极；所述图案化处理第一型半导体层图案为圆台形，在第一型半导体层上的投影轮廓最宽处宽度为100nm~5000nm，在垂直于第一型半导体层方向上的厚度为50nm~4000nm，横纵比大于或等于1；所述第一型半导体层，多量子阱层和第二型半导体层采用分子束外延技术或金属有机化合物气相外延技术形成；所述第一型半导体层生长在衬底层和缓冲层后，再采用激光剥离技术剥离衬底层和缓冲层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 包覆式多量子阱NLED阵列结构及其制作方法
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