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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
摘要：本申请涉及振荡发射源技术领域，公开了一种共振隧穿二极管振荡器和太赫兹源器件，振荡器包括U型缝隙天线、第一上电极层、两个共振隧穿二极管结区和导电连接层；U型缝隙天线包括两个相对的直线区和连接直线区的曲线区；共振隧穿二极管结区包括第二上电极层、结区下电极层和下掺杂层；U型缝隙天线贯穿结区下电极层和下掺杂层；两个共振隧穿二极管结区位于两个直线区之间，导电连接层与第二上电极层电连接并通过直线区与第一上电极层电连接。振荡器中包括两个RTD，通过曲线区的半径、直线区的长度及RTD结区的位置和面积来调节振荡器的振荡模式和电场方向，实现两个RTD间功率耦合和振荡器天线辐射效率的优化，提升振荡器辐射功率。
主权项：1.一种共振隧穿二极管振荡器，其特征在于，包括U型缝隙天线、第一上电极层、两个共振隧穿二极管结区和两个导电连接层；U型缝隙天线包括两个相对的直线区和连接两个所述直线区的曲线区；所述共振隧穿二极管结区包括第二上电极层、结区下电极层和下掺杂层；所述U型缝隙天线贯穿所述结区下电极层和所述下掺杂层；两个所述共振隧穿二极管结区位于两个所述直线区之间，所述导电连接层与所述第二上电极层电连接并通过所述直线区与所述第一上电极层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种共振隧穿二极管振荡器和太赫兹源器件
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