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申请/专利权人：湖南蓝芯微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体LED芯片技术领域，具体涉及一种miniLED倒装芯片提高亮度的方法。本发明包括如下步骤：S1、采用光刻和ICP刻蚀技术制备N‑GaN台阶；S2、使用ICP刻蚀技术去除GaN外延部分，裸露出衬底，形成切割道；S3、通过磁控溅射生长透明导电层薄膜，并进行高温处理；S4、通过光刻和刻蚀工艺对透明导电层进行开孔减薄处理，以提高亮度；S5、制备第一电极；S6、钝化绝缘层与反射层制备：使用PECVD技术和蒸镀技术制备钝化绝缘层和反射层；S7、制备第二电极。本发明提高光提取效率LEE：透明导电层的开孔和减薄显著降低了光子的吸收损失，提高了光提取效率，使得更多的发光光子能够从芯片中逃逸出来。
主权项：1.一种miniLED倒装芯片提高亮度的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、N-GaN台阶制备：采用光刻和ICP刻蚀技术制备N-GaN台阶1；S2、切割道刻蚀：使用ICP刻蚀技术去除GaN外延部分，裸露出衬底，形成切割道3；S3、透明导电层制备：通过磁控溅射生长透明导电层2薄膜，并进行高温处理；S4、透明导电层开孔减薄：通过光刻和刻蚀工艺对透明导电层2进行开孔减薄处理，以提高亮度：S41、涂覆光刻胶并定义开孔图案；S42、采用干法或湿法刻蚀减薄透明导电层2；S43、去除光刻胶并清洗芯片表面；S5、第一电极制备：制备第一电极4；S6、钝化绝缘层与反射层制备：使用PECVD技术和蒸镀技术制备钝化绝缘层5和反射层；S7、第二电极制备：制备第二电极6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南蓝芯微电子科技有限公司 miniLED倒装芯片提高亮度的方法
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