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申请/专利权人:湖南蓝芯微电子科技有限公司
摘要:本发明涉及半导体LED芯片技术领域,具体涉及一种miniLED倒装芯片提高亮度的方法。本发明包括如下步骤:S1、采用光刻和ICP刻蚀技术制备N‑GaN台阶;S2、使用ICP刻蚀技术去除GaN外延部分,裸露出衬底,形成切割道;S3、通过磁控溅射生长透明导电层薄膜,并进行高温处理;S4、通过光刻和刻蚀工艺对透明导电层进行开孔减薄处理,以提高亮度;S5、制备第一电极;S6、钝化绝缘层与反射层制备:使用PECVD技术和蒸镀技术制备钝化绝缘层和反射层;S7、制备第二电极。本发明提高光提取效率LEE:透明导电层的开孔和减薄显著降低了光子的吸收损失,提高了光提取效率,使得更多的发光光子能够从芯片中逃逸出来。
主权项:1.一种miniLED倒装芯片提高亮度的方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、N-GaN台阶制备:采用光刻和ICP刻蚀技术制备N-GaN台阶1;S2、切割道刻蚀:使用ICP刻蚀技术去除GaN外延部分,裸露出衬底,形成切割道3;S3、透明导电层制备:通过磁控溅射生长透明导电层2薄膜,并进行高温处理;S4、透明导电层开孔减薄:通过光刻和刻蚀工艺对透明导电层2进行开孔减薄处理,以提高亮度:S41、涂覆光刻胶并定义开孔图案;S42、采用干法或湿法刻蚀减薄透明导电层2;S43、去除光刻胶并清洗芯片表面;S5、第一电极制备:制备第一电极4;S6、钝化绝缘层与反射层制备:使用PECVD技术和蒸镀技术制备钝化绝缘层5和反射层;S7、第二电极制备:制备第二电极6。
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