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申请/专利权人：雪龙集团股份有限公司
摘要：本发明涉及一种基于SiCMOSFET门限电压的动态结温测量装置，包括：电流检测部分，与被测SiCMOSFET的源极串联，用于在SiCMOSFET开通时产生一个正脉冲信号，在SiCMOSFET关断时产生一个负脉冲信号；门限电压采集控制部分，用于根据所述正脉冲信号和负脉冲信号生成门限电压采集控制信号；门限电压采样部分，用于根据门限电压采集控制信号对被测SiCMOSFET栅源之间的门限电压进行采集；结温值确定部分，用于根据结温和门限电压的曲线确定在采集到的门限电压下的结温值。本发明可以快速、准确、实时地测量SiCMOSFET的结温。
主权项：1.一种基于SiCMOSFET门限电压的动态结温测量装置，其特征在于，包括：电流检测部分，与被测SiCMOSFET的源极串联，用于在SiCMOSFET开通时产生一个正脉冲信号，在SiCMOSFET关断时产生一个负脉冲信号；门限电压采集控制部分，用于根据所述正脉冲信号和负脉冲信号生成门限电压采集控制信号；门限电压采样部分，用于根据门限电压采集控制信号对被测SiCMOSFET栅源之间的门限电压进行采集；结温值确定部分，用于根据结温和门限电压的曲线确定在采集到的门限电压下的结温值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 雪龙集团股份有限公司 一种基于SiC MOSFET门限电压的动态结温测量装置
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