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申请/专利权人：贵研检测科技(云南)有限公司
摘要：本发明涉及一种贵金属试样的显微组织显现方法，属于显微组织表征技术领域。本发明将贵金属块体试样的待测面进行机械抛光，清洗并烘干得到机械抛光样品；将机械抛光样品的待测面进行氩离子研磨抛光处理得到氩离子抛光样品；氩离子抛光样品置于双束电子显微镜的样品内并在真空条件下观察，采用低电流聚焦镓离子束成像方法，扫描待测样品表面成像，利用离子束增强通道衬度形成强取向衬度的晶粒组织图像。相比于金相法，本发明显微组织显现方法无需腐蚀液腐蚀，可以解决贵金属及其合金耐蚀性极强不易腐蚀的问题；相比于聚焦离子束切割（FIB）法，可获得厘米级较大区域面积的组织图像；相比于常规扫描电镜电子束成像，可获得衬度更明显的晶粒组织图像。
主权项：1.一种贵金属试样的显微组织显现方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将贵金属块体试样的待测面进行机械抛光，清洗并烘干得到机械抛光样品；（2）将机械抛光样品的待测面进行氩离子研磨抛光处理得到氩离子抛光样品；所述氩离子抛光方法为：机械抛光样品夹持在氩离子抛光仪样品仓内样品台的中心，调整样品台倾角使离子枪与机械抛光样品的待测面呈4~6°，调节样品台转速1-3mms，样品台中心移动范围±5mm，抽真空，依次在高电压5kev下进行氩离子抛光15~20min，中高电压4.5kev下进行氩离子抛光10~20min，中低电压3.5kev下进行氩离子抛光10~15min，低电压2kev下进行氩离子抛光10~20min；（3）氩离子抛光样品置于双束电子显微镜内并在真空条件下观察，采用低电流聚焦镓离子束成像方法，扫描待测样品表面成像，利用离子束增强通道衬度形成强取向衬度的晶粒组织图像；所述离子束成像方法为：倾转样品台使氩离子抛光样品的待测面正对离子束系统，工作距离为18~38mm，工作电压为30Kev，离子束电流为10~50pA，在非拍照区域小窗口聚焦，然后将待拍照区域移动至视场中心拍照，拍照停留时间为3~10μs。
全文数据：
权利要求：
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