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申请/专利权人:芯联集成电路制造股份有限公司
摘要:本发明提供一种扩展电阻测试样品及其制备方法和测试方法,扩展电阻测试样品的制备方法包括:提供半导体样品;其中,半导体样品包括非测试区域和位于非测试区域中的目标测试区域,目标测试区域的表面形成有目标测试图形,非测试区域的表面形成有凹凸不平的非测试图形;在半导体样品的表面涂覆涂层,以覆盖目标测试图形和非测试图形;对涂层进行平坦化处理,以得到扩展电阻测试样品。本发明可以保证研磨角测试的准确性,提高了测试深度值及其对应的电阻率的准确性,且测试可重复性好。
主权项:1.一种扩展电阻测试样品的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供半导体样品;其中,所述半导体样品包括非测试区域和位于所述非测试区域中的目标测试区域,所述目标测试区域的表面形成有目标测试图形,所述非测试区域的表面形成有凹凸不平的非测试图形;在所述半导体样品的表面涂覆涂层,以覆盖所述目标测试图形和所述非测试图形;对所述涂层进行平坦化处理,以得到所述扩展电阻测试样品。
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权利要求:
百度查询: 芯联集成电路制造股份有限公司 扩展电阻测试样品及其制备方法和测试方法
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