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申请/专利权人：广东高斯宝电气技术有限公司
摘要：本发明属于开关电源技术领域，公开了一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，包括以下步骤：S1、LLC拓扑连接负载，并运转电路；S2、计算该负载下电路的谐振频率FRES；S3、确定该负载下LLC工作频率大于谐振频率时的SR的最大延时时间TEX；S4、确定该负载下LLC关断的延时时间T2；S5、确定LLC拓扑工作的负载情况，当LLC工作频率大于谐振频率FRES时，副边SR电路延时LLC电路T3时间关断，T3=T2+TEX。本发明的有益效果：通过软件方式消除硬件延时导致的MOS导通损耗，从而提高LLC变换器的整体效率。
主权项：1.一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、LLC拓扑连接负载，并运转电路；S2、计算该负载下电路的谐振频率FRES；S3、确定该负载下LLC工作频率大于谐振频率时的SR的最大延时时间TEX；S4、确定该负载下LLC关断的延时时间T2；S5、确定LLC拓扑工作的负载情况，当LLC工作频率大于谐振频率FRES时，副边SR电路延时LLC电路T3时间关断，T3=T2+TEX；当LLC工作频率小于或等于谐振频率FRES时，固定副边SR电路导通时长TRES，TRES=1FRES。
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权利要求：
百度查询： 广东高斯宝电气技术有限公司 一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法
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