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申请/专利权人：深圳先进技术研究院
摘要：一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜或太阳能电池空穴浓度的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。本发明通过电离氩气产生高能Ar等离子体，轰击CIGS靶材，在预先制备好的衬底上制备CIGS薄膜，通过调节CIGS靶材中铜的含量，实现对CIGS中空穴浓度的可控调节。本发明采用磁控溅射法制备的CIGS薄膜成分均匀、表面光滑，且由于所使用靶材中铜的含量不同，吸收层整体空穴浓度得以调节，进一步提高了CIGS电池的开路电压和填充因子，有效地提高了电池的性能参数，更大程度的提升电池的光电转化效率。
主权项：1.一种利用多靶溅射调节CIGS薄膜空穴浓度的方法，其特征在于，包括以下步骤：1取干净衬底，采用直流溅射法，获得Mo薄膜背电极；2置于样品架上，送入高真空腔体内，加热处理；3向腔体内充入惰性气体，开启中频电源产生外加电场，取第一靶材进行预溅射；4开启样品架传动装置，调节样品走速，生长获得均匀的第一层CIGS预制层；5取第二靶材，进行第一次溅射处理，获得CIGS中间层；6取第三靶材，进行第二次溅射处理，获得CIGS表层薄膜；7溅射结束后，将表面改性处理后的CIGS薄膜取出，封装；所述第一靶材的组分包含Cu:25％，In17.5％，Ga7.5％，Se50％；所述第二靶材的组分包含Cu20％，In20％，Ga10％，Se50％；所述第三靶材的组分包含Cu22.5％，In17.5％，Ga7.5％，Se52.5％；所述预溅射、第一次溅射和第二次溅射所用的功率不相同。
全文数据：
权利要求：
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