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申请/专利权人：中国科学院高能物理研究所
摘要：本申请的实施例公开了一种单级次衍射劳厄透镜及制造方法，所述单级次衍射劳厄透镜包括基体，基体包括第一表面；以及形成在第一表面上的衍射结构；沿垂直于第一表面的方向，衍射结构包括周期厚度以预设规则变化的多个膜层；多个膜层由第一靶材和第二靶材通过共溅射形成，第一靶材和第二靶材的溅射功率沿膜层的外延方向以相位差为π的余弦函数形式周期性变化，膜层的周期厚度与余弦函数的变化周期相对应；其中，第一靶材的原子序数大于第二靶材的原子序数。本申请的透镜的结构能够有效抑制高级次衍射光，在光路中无需要使用OSA，有效增加了工作距离。
主权项：1.一种单级次衍射劳厄透镜，其特征在于，包括：基体，所述基体包括第一表面；以及形成在所述第一表面上的衍射结构；沿垂直于所述第一表面的方向，所述衍射结构包括周期厚度以预设规则变化的多个膜层；所述多个膜层由第一靶材和第二靶材通过共溅射形成，所述第一靶材和所述第二靶材的溅射功率沿所述膜层的外延方向以相位差为π的余弦函数形式周期性变化，所述膜层的周期厚度与所述余弦函数的变化周期相对应；其中，所述第一靶材的原子序数大于所述第二靶材的原子序数；沿所述膜层的外延方向，所述透镜在x位置处的磁导率满足如下公式： ；其中，为所述第一靶材和所述第二靶材的磁导率的平均值，为所述第一靶材和所述第二靶材的磁导率之差，D为x位置处的膜层的周期厚度；各膜层的周期厚度的预设规则通过如下公式计算： ；其中，Dn为第n层膜层的周期厚度，f为所述透镜-1级次衍射光的焦距，为入射光的波长；其中，第n层膜层的位置半径通过如下公式计算： 。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院高能物理研究所 一种单级次衍射劳厄透镜及制造方法
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