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申请/专利权人：季华恒一(佛山)半导体科技有限公司

摘要：本申请涉及半导体领域，公开了一种具有TaC复合涂层的石墨盘及其制备方法，具有TaC复合涂层的石墨盘的制备方法包括以下步骤：对石墨盘表面进行图形化预处理，使所述石墨盘表面形成规则整齐排列的凹坑阵列；在所述石墨盘表面依次形成SiC涂层、金属涂层、TaC涂层，使所述石墨盘表面形成TaC复合涂层；在所述TaC涂层表面进行后处理使所述TaC涂层表面非晶化，在高温惰性气体氛围中进行退火处理。本申请所提供的具有TaC复合涂层的石墨盘及其制备方法，通过优化改进石墨盘表面的预处理方法，增加涂层与石墨表面之间的结合强度，提升涂层的可靠性；通过优化TaC复合涂层结构，减少涂层裂纹的产生，进一步提升涂层的可靠性。

主权项：1.一种具有TaC复合涂层的石墨盘的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对石墨盘表面进行图形化预处理，使所述石墨盘表面形成凹坑阵列；在所述石墨盘表面依次形成SiC涂层、金属涂层、TaC涂层，使所述石墨盘表面形成TaC复合涂层；在所述TaC涂层表面进行后处理使所述TaC涂层表面非晶化，在高温惰性气体氛围中进行退火处理；所述在所述石墨盘表面依次形成SiC涂层、金属涂层、TaC涂层步骤中，在形成所述SiC涂层之后、形成所述金属涂层之前，还包括以下步骤：形成SiC-金属过渡层；所述在所述石墨盘表面依次形成SiC涂层、金属涂层、TaC涂层步骤中，在形成所述金属涂层之后、形成所述TaC涂层之前，还包括以下步骤：形成金属-TaC过渡层；所述金属涂层为Ta涂层，形成所述SiC-金属过渡层的过程，包括以下步骤：载气为Ar，Ar的流量为500~2000sccm，通入的反应气体随时间由SiH4、C3H8混合气体逐渐变化至TaCl5、H2混合气体，SiH4的起始流量为150~900sccm、目标流量为0sccm，C3H8的起始流量为50~300sccm、目标流量为0sccm，TaCl5的起始流量为0sccm、目标流量为10~30sccm，H2的起始流量为0sccm、目标流量为100~500sccm，温度为1100~1500℃，气压为40~200mbar，射频功率为5~10kW，沉积时间为5~15min；所述金属涂层为Ta涂层，形成所述金属-TaC过渡层的过程，包括以下步骤：载气为Ar，通入的反应气体随时间由TaCl5、H2混合气体逐渐变化至TaCl5、C3H8混合气体，TaCl5的起始流量为10~50sccm、目标流量为10~50sccm，H2的起始流量为100~500sccm、目标流量为0sccm，C3H8的起始流量为0sccm、目标流量为20~150sccm，温度为1000~1400℃，气压为40~200mbar，射频功率为5~10kW，沉积时间为5~15min。

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