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申请/专利权人：江苏新璟宏能源科技有限公司
摘要：本发明提供一种提高异质结电池返工效率的方法，收集在PECVD、PVD工序的返工片清洗去掉TCO导电膜以及非晶硅薄膜后，进行采用浓度为1‑3％氢氧化钾清洗去除表面的有机杂质和金属颗粒，再采用1‑5％氢氟酸去除硅片表面的氧化层，并将硅片烘干后经过热氧处理，使得硅片的表面形成氧化硅，氧化硅的形成能够提高后期含磷活性剂涂覆的均匀性，大大提升吸杂的效果；再在硅片的表面涂覆含磷活性剂通过高温扩散后在硅片的表面形成一层磷硅玻璃层，磷硅玻璃层对硅片中金属杂质的溶解度远远高于其他区域，并且在吸杂推进作用下，硅片内的金属杂质向其表面扩散，最后二次制绒清洗去掉这层杂质并提高硅片表面的粗糙度从而达到提升返工片电性能的目的。
主权项：1.一种提高异质结电池返工效率的方法，其特征在于：用于异质结电池返工片的生产，收集PECVD、PVD工序中产生的不良片并进行返工处理，具体包括以下步骤，S1，将电池片采用浓度为3-5％氢氟酸清洗并去掉TCO导电膜，然后采用45-50ppm的臭氧和浓度为0.5-1％氢氟酸混合液去除非晶硅薄膜得到硅片；S2，将硅片放入链式清洗机，先用浓度为1-3％氢氧化钾进行清洗，去除硅片表面的有机杂质和金属颗粒，再用浓度为1-5％氢氟酸进行清洗，去除硅片表面的氧化层同时使得硅片具有疏水性；S3，将硅片烘干后进行热氧处理，即将硅片放置在含有氧气和氮气的高温气氛中并使得硅片的表面形成9-12nm的氧化硅；S4，将硅片双面涂覆含磷活性剂，涂覆完成之后将硅片放置在90-150℃的环境中并使得硅片表面形成一层重磷掺杂的磷硅玻璃层；S5，将硅片经吸杂推进使得磷分子向硅片内部扩散，减小硅片表面磷分子浓度并增加结深；S6，将硅片经过二次制绒去掉硅片表面的磷硅玻璃层，并按照常规PECVD、PVD、电极印刷制得异质结电池。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏新璟宏能源科技有限公司 一种提高异质结电池返工效率的方法
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