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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明公开了一种允许从侧向及顶部双侧入光的光电探测器，在该器件中将1x2多模干涉耦合器、圆弧型稀释波导、光电探测器集成在半绝缘衬底上，使得信号光可以从侧向和顶部入射，有效地拓展光电探测器的应用范围。在侧向入光时，信号光通过1x2多模干涉耦合器后，由两个输出端分别耦合进入圆弧型稀释波导，逐渐向上耦合进入光电探测器吸收层中，该结构可以缓解在光波导前端的载流子饱和问题，可以容许更高的输入光功率，并有助于提高带宽；在顶部入光时，信号光直接从圆形台面光电探测器顶部入射至吸收层，并透光电探测器本身的外延层后，在下方圆柱形腔内反射并二次进入光电探测器，优化台面型光电探测器需要较大吸收层厚度的问题。
主权项：1.一种允许从侧向及顶部双侧入光的光电探测器，其特征在于，半绝缘衬底5上包含1x2多模干涉耦合器1、圆弧型稀释波导2、光电探测器4，器件允许从侧向L2及顶部L1双侧入光。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种允许从侧向及顶部双侧入光的光电探测器
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