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申请/专利权人：意法半导体(鲁塞)公司
申请日：2019-11-28
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113228557B
主分类号：H04L9/32
分类号：H04L9/32;H03K19/00
优先权：["20181213 FR 1872826"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开
摘要：物理不可克隆的功能器件DIS包括安装在二极管中的MOS晶体管TR1i、TR2j的集合，该器件具有相应的阈值电压的随机分布，并且包括N个第一晶体管以及至少一个第二晶体管。功能的至少一个输出节点是能够传递信号，信号的电平取决于使用在至少一个第二晶体管中循环的电流获得的电流与使用等于或基本上等于在N个第一晶体管中的循环的电流的平均值的参考电流获得的电流之间的比较。第一装置FM1i被配置为在每个第一晶体管上施加相应的固定栅极电压而不管在第一晶体管中循环的电流的值，以及第二装置SM2j被配置为在每个第二晶体管上施加相应的固定栅极电压而不管在第二晶体管中循环的电流的值。
主权项：1.一种集成电路，包括至少一个区域DD，所述区域DD包括物理不可克隆的功能器件DIS，所述器件DIS包括：-二极管连接的MOS晶体管TR1i、TR2j的集合，具有相应的阈值电压的随机分布，所述集合包括N个第一晶体管和至少一个第二晶体管，-第一装置FM1i，被配置以便在每个第一晶体管上施加固定的相应的栅极电压，而不管在该第一晶体管中流动的电流的值如何，-第二装置SM2j，被配置以便在每个第二晶体管上施加固定的相应的栅极电压，而不管在该第二晶体管中流动的电流的值如何，-能够传递信号的所述功能的至少一个输出节点，所述信号的电平取决于从等于或基本上等于在所述N个第一晶体管中流动的电流的平均值的参考电流获取的第一电流与从在所述至少一个第二晶体管中流动的电流获取的第二电流之间的比较。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(鲁塞)公司 物理不可克隆的功能器件
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