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申请/专利权人：天津大学
申请日：2023-04-30
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116525405B
主分类号：H01J49/42
分类号：H01J49/42;H01J49/02
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开
摘要：本发明公开一种精确控温，有效囚禁和高效引出的射频离子阱，包括离子注入段，离子储存段和离子引出段；离子注入段，用于提供单一质量且窄动能分布的团簇离子束流；离子储存段，所述离子储存段由存储单元和控温单元构成；用于对注入至离子阱内的团簇离子束流进行控温和储存；离子引出段，用于将储存囚禁在离子阱内的团簇离子进行轴向的引出；本发明在与氦冷媒碰撞减速的前提下，通过径向射频场、轴向势阱的束缚实现对离子的控温和储存，并通过安装在离子阱内部的轴向透镜组和后端盖电极的共同作用下完成因碰撞冷却囚禁在离子阱中无场区的离子的高效轴向引出，从而满足下一级的注入要求，以提高后端质能谱的精度和灵敏度。
主权项：1.一种精确控温，有效囚禁和高效引出的射频离子阱，其特征在于，包括：离子注入段，用于提供单一质量且窄动能分布的团簇离子束流；离子储存段，所述离子储存段由存储单元和控温单元构成；用于对注入至离子阱内的团簇离子束流进行控温和储存；离子引出段，用于将储存囚禁在离子阱内的团簇离子进行轴向的引出；其中:所述离子注入段在完成对离子的质量筛选和动能筛选后，通过聚焦和偏转透镜将团簇离子束流注入至离子储存段；所述离子储存段通过提前通入冷却的氦气与注入的团簇离子束流碰撞后，将团簇离子束流存储在离子阱内部轴线的无场区内；所述离子引出段通过控制轴向透镜组施加脉冲电压将在离子阱内形成梯度电场，引出时减小氦气的阻碍并给予出射团簇离子束流动能；所述离子引出段包括轴向透镜组和后端盖电极，其中：在无场区存储的团簇离子束流受到轴向透镜组施加电压后形成电场力作用产生朝出口方向运动的趋势，在后端盖电极的脉冲电压下实现高效引出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津大学 一种精确控温，有效囚禁和高效引出的射频离子阱
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