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申请/专利权人：莱特美美国股份有限公司
申请日：2019-05-07
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN112204731B
主分类号：H01L23/36
分类号：H01L23/36
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.01.26#实质审查的生效;2021.01.08#公开
摘要：提供一种接合半导体器件和散热安装座的银‑铟瞬态液相方法，以及具有银‑铟瞬态液相接合接头的半导体结构。利用形成在半导体器件和散热安装座之间的超薄银‑铟瞬态液相接合接头，可以最小化其热阻以实现高热导率。因此，可以充分实现散热安装座的散热能力，从而使得高功率电子器件和光电子器件达到其最佳性能。
主权项：1.一种接合半导体器件和散热安装座的Ag-In瞬态液相方法，包括：在半导体器件的底侧形成第一接合结构，包括：在半导体器件的底部上形成第一Ag瞬态液相接合层；在散热安装座的顶侧形成第二接合结构，包括：在散热安装座的顶部上形成具有第二Ag瞬态液相接合层的多层结构，所述多层结构包括在第二Ag瞬态液相接合层的顶部上的中间瞬态AgIn2金属间化合物层、在中间瞬态AgIn2金属间化合物层的顶部上的In瞬态液相接合层、以及在In瞬态液相接合层的顶部上的抗氧化AgIn2金属间化合物覆盖层；在第一接合结构和第二接合结构上执行Ag-In接合工艺，从而将第一接合结构和第二接合结构转化成接合接头，所述接合接头包括具有与所述半导体器件接触的第一Ag-In固溶体层、与所述散热安装座接触的第二Ag-In固溶体层以及被所述第一Ag-In固溶体层和所述第二Ag-In固溶体层夹在中间的Ag2In金属间化合物层的夹心接合结构，使得所述接合接头连接所述半导体器件和所述散热安装座，并且Ag2In金属间化合物层的厚度大于所述第一Ag-In固溶体层的厚度，以及Ag2In金属间化合物层的厚度大于所述第二Ag-In固溶体层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 莱特美美国股份有限公司 接合半导体器件和散热安装座的银铟瞬态液相方法及有银铟瞬态液相接合接头的半导体结构
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