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一种负载切换瞬态增强的超低静态功耗LDO电路、工作方法 

申请/专利权人:盛泽芯集成电路(无锡)有限公司

申请日:2023-11-07

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN117348667B

主分类号:G05F1/56

分类号:G05F1/56

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.05#授权;2024.02.09#专利申请权的转移;2024.01.23#实质审查的生效;2024.01.05#公开

摘要:本发明提供了一种负载切换瞬态增强的超低静态功耗LDO电路、工作方法,其可提高LDO输出电压的建立速度,具有较好的稳定性与瞬态响应能力;其包括主路模块,所述主路模块包括误差放大级,所述误差放大级的输出节点端连接有泄放模块、瞬态增强模块;其中,所述泄放模块,用于在所述误差放大级输出节点的电压小于设定阈值时,进行过充电荷泄放;所述瞬态增强模块,用于当负载电流突变时,对所述误差放大级的输出节点端进行充电或放电,维持所述误差放大级输出电压稳定。

主权项:1.一种负载切换瞬态增强的超低静态功耗LDO电路,其包括主路模块,所述主路模块包括误差放大级,其特征在于,所述误差放大级的输出节点端连接有泄放模块、瞬态增强模块;其中,所述泄放模块,用于在所述误差放大级输出节点的电压小于设定阈值时,进行过充电荷泄放;所述瞬态增强模块,用于当负载电流突变时,对所述误差放大级的输出节点端进行充电或放电,维持所述误差放大级输出电压稳定;所述误差放大级包括MOS管M1~M10、电容C1;所述泄放模块包括MOS管M11;所述MOS管M6的漏极端与所述MOS管M8的漏极端相连后与所述电容C1的一端、MOS管M11的栅极端均相连接,且相连的节点作为所述误差放大级的输出节点端VEA;所述MOS管M11的源极端作为所述误差放大级的输出电压端VLDO;所述电容C1的另一端与所述MOS管M11的漏极端相连后接地;所述主路模块还包括源跟随器缓冲级、功率输出级,所述源跟随器缓冲级的输入端与所述误差放大级的输出节点端连接,用于对所述误差放大级的输出电压进行电压缓冲;所述源跟随器缓冲级的输出端与所述功率输出级的输入端连接。

全文数据:

权利要求:

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