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申请/专利权人：厦门大学
申请日：2023-04-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116375005B
主分类号：C01B32/168
分类号：C01B32/168;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.07.21#实质审查的生效;2023.07.04#公开
摘要：本发明提供了一种高效的碳纳米管垂直阵列杂化剥离方法，首先通过化学反应在基底上沉积垂直取向结构的碳纳米管阵列，在沉积结束切断碳源供给后，在反应腔室的前端放置含杂原子的前驱体，加热至指定温度保持一定时间实现碳纳米管垂直阵列杂化，之后，降温至指定温度，将反应腔室敞开在空气中，并保持一定时间，即可实现碳纳米管垂直阵列的原位完整剥离。本发明提供的方法，操作简单，绿色节能，不产生废气废料，适用于工业机械自动化过程，可以高效实现大面积的碳纳米管垂直阵列的剥离，对于任意几何结构沉积出的碳纳米管垂直阵列的基底均能实现剥离且无损伤，在碳纳米管基功能器件、柔性电子器件、电化学电极材料、催化等领域具有广泛的应用前景。
主权项：1.一种高效的碳纳米管垂直阵列杂化剥离方法，包括如下步骤：步骤S1，在基底上沉积垂直取向结构的碳纳米管阵列；步骤S2，在反应腔室的前端放置含杂原子的前驱体，加热至第一指定温度保持足够时间实现碳纳米管垂直阵列杂化；所述杂原子的前驱体包括富含硼、氮、磷、硫在内的非金属元素前驱体中的一种或多种；含杂原子的前驱体与碳纳米管阵列的质量比为1～10:1；低温250℃～350℃处理1.5～2.5小时，然后升温至700℃～800℃处理0.5～1.5小时；步骤S3，降温至第二指定温度，将反应腔室敞开在空气中，并保持一定时间，即可实现碳纳米管垂直阵列的原位剥离；所述的第二指定温度为350~450℃，时间为30分钟~60分钟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种高效的碳纳米管垂直阵列杂化剥离方法
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