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申请/专利权人：美满芯盛(杭州)微电子有限公司
申请日：2021-09-02
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113662250B
主分类号：A24F40/10
分类号：A24F40/10;A24F40/46;A24F40/40;A24F40/42
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开
摘要：本发明公开了一种MEMS硅基雾化芯，其包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上设置有若干雾化孔，所述雾化孔贯穿所述第一衬底，所述第一衬底的一侧设置有横向微流道储液舱，若干所述雾化孔均与所述横向微流道储液舱相连通，所述第一衬底的另一侧设置有金属电极，所述金属电极上连接有电阻丝；所述第二衬底连接在所述第一衬底上，所述第二衬底上设置与若干通孔，所述通孔贯穿所述第二衬底的上下表面，所述通孔连通所述横向微流道储液舱，所述通孔与所述雾化孔错位布置。本发明还公开了一种MEMS硅基雾化芯制造方法。本发明可以解决陶瓷雾化芯多孔孔径不一致，导致加热不均匀、局部过热干烧碳化的问题。
主权项：1.一种MEMS硅基雾化芯，其特征在于，包括第一衬底1和第二衬底2，所述第一衬底1上设置有若干雾化孔3，所述雾化孔3贯穿所述第一衬底1，所述第一衬底1的一侧设置有横向微流道储液舱4，若干所述雾化孔3均与所述横向微流道储液舱4相连通，所述第一衬底1的另一侧设置有金属电极5，所述金属电极5上连接有电阻丝；所述第二衬底2连接在所述第一衬底1上，所述第二衬底2上设置与若干通孔6，所述通孔6贯穿所述第二衬底2的上下表面，所述通孔6连通所述横向微流道储液舱4，所述通孔6与所述雾化孔3错位布置，所述第一衬底1的厚度为10μm，所述雾化孔3的孔径为2μm，所述横向微流道储液舱4的高度为1μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美满芯盛(杭州)微电子有限公司 一种MEMS硅基雾化芯及其制造方法
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