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申请/专利权人：厦门大学
申请日：2019-12-13
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN110967785B
主分类号：G02B5/18
分类号：G02B5/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.07#公开
摘要：本发明公开了一种采用全息干涉记录手段进行二次曝光制备小占宽比全息光栅的新方法。其步骤为：用两相干平行光对记录材料进行第一次曝光，然后在不改变记录光束的情况下，用步进电机调整记录材料位置，进行第二次曝光，二次曝光完成后进行显影。该方法比离子刻蚀方法更易实现，只比一般全息光栅的制备过程多一次记录材料的移动和曝光过程，可以利用原有制备一般全息光栅的设备进行二次曝光制备小占宽比全息光栅。与已有的方法比，所增加的曝光工序较简单，不仅对制备材料没有特殊要求，而且不需要额外的设备和特殊元件。这种方法制备过程简单，制备速度快，且制备成本低。
主权项：1.一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：用两入射的相干平行光对记录材料进行第一次曝光，入射角θ由下式确定：2sinθ＝λd，其中λ为记录光源的激光波长，d为光栅周期，所述记录材料为可形成浮雕状干涉条纹的记录干版，所述记录光源的波长为记录干版敏感的激光波长；S2：在不改变记录光束的前提下，利用步进电机调整记录材料的位置，移动的距离由所需要得到的全息光栅占宽比决定；S3：调整完成之后进行第二次曝光；S4：两次曝光完成后进行显影，即得到所需的小占宽比全息光栅；其中，所述利用步进电机调整记录材料的位置，包括利用步进电机水平移动记录材料的位置或垂直移动记录材料的位置，具体为：所述利用步进电机水平移动记录材料的位置，所述占宽比与记录材料水平移动距离之间的关系是：所述利用步进电机垂直移动记录材料的位置，所述占宽比与记录材料水平移动距离之间的关系是：其中，σ1是第一次曝光后的占宽比，L1是第一次曝光后的线宽，d1是第一次曝光后的光栅周期，σ2是第二次曝光后的占宽比，L2是第二次曝光后的线宽，d2是第二次曝光后的光栅周期，D是记录材料水平移动距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种全息干涉记录手段制备小占宽比全息光栅的方法
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