买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司

摘要：本发明公开了一种高电源抑制比运算放大电路，包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。本发明提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比。

主权项：1.一种高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出；所述第一级放大子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管，所述第一场效应管与所述第二场效应管为用于接收输入的差分信号的差分输入对管，所述第二级放大子电路包括第五场效应管，所述电流偏置子电路包括第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应管相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第十一场效应管、与所述第八场效应管相连的第十二场效应管、与所述第九场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十场效应管相连的第十四场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十五场效应管、与所述第十五场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十六场效应管相连的第十七场效应管、与所述第十七场效应管相连的第十八场效应管、与所述第十八场效应管相连的第十九场效应管及第二十场效应管，所述高电源抑制比子电路包括所述第十场效应管、所述第十四场效应管、所述第十九场效应管、连接于所述第十四场效应管与所述第十九场效应管之间的第二十一场效应管及第一电容，所述补偿电容包括第二电容；所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极分别接收输入的差分信号，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级共同连接所述第六场效应管的漏极，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源级及所述第十八场效应管的漏极相连；所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源级及所述第十七场效应管的漏极相连；所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极、所述第十五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的栅极共同连接，所述第三场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极、所述第十一场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极及所述第十五场效应管的漏极相连；所述第四场效应管的漏极与所述第十三场效应管的漏极、所述第十四场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的漏极相连；所述第五场效应管的漏极与所述第二十场效应管的漏极及所述第二电容的一端相连，并作为所述高电源抑制比运算放大电路的输出端输出信号；所述第六场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管的栅极共同连接；所述第七场效应管的漏极与所述第十一场效应管的源级相连；所述第八场效应管的漏极与所述第十二场效应管的源级相连；所述第九场效应管的漏极与所述第十三场效应管的源级相连；所述第十场效应管的漏极与所述第十四场效应管的源级相连；所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极及所述第十四场效应管的栅极共同连接；所述第十五场效应管的源级与所述第十六场效应管的漏极相连；所述第十六场效应管的栅极、所述第十七场效应管的栅极、所述第十八场效应管的栅极、所述第十九场效应管的栅极及所述第二十场效应管的栅极共同连接；所述第十九场效应管的漏极与所述第二十一场效应管的源级及所述第二电容的另一端相连；所述第六场效应管的源级、所述第七场效应管的源级、所述第八场效应管的源级、所述第九场效应管的源级、所述第十场效应管的源级、所述第一电容的另一端及所述第五场效应管的源级共同连接电源端；所述第十六场效应管的源级、所述第十七场效应管的源级、所述第十八场效应管的源级、所述第十九场效应管的源级及所述第二十场效应管的源级共同连接地端；所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管、所述第十场效应管、所述第十一场效应管、所述第十二场效应管、所述第十三场效应管、所述第十四场效应管为P型场效应管，所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第十五场效应管、所述第十六场效应管、所述第十七场效应管、所述第十八场效应管、所述第十九场效应管、所述第二十场效应管、所述第二十一场效应管为N型场效应管。

全文数据：高电源抑制比运算放大电路技术领域[0001]本发明涉及集成电路领域，特别是涉及一种用于模拟电路的数字系统高频段部分的高电源抑制比运算放大电路。背景技术[0002]运算放大电路是通信和高速模拟转换系统中不可或缺的电路模组，在一些高速数字系统中，电路对于电源抑制比（PSRR，P〇werSupplyRejectionRatio的要求往往比一般系统尚。[0003]在现有技术中，通常对两级运算放大电路采用米勒补偿技术来达到环路的稳定，虽然在低频段时电路的电源抑制比可以设计得足够高，但是对于高频段时电路的电源抑制比则无法达到要求，因此限制了运算放大电路在数字系统中的应用。_[0004]因此，有必要提供一种用于模拟电路的数字系统高频段部分的高电源抑制比运算放大电路。发明内容[0005]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于模拟电路的数字系统高频段部分的高电源抑制比运算放大电路。__[0006]本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种高电源抑制比运算放大电路，包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第一级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。[0007]所述第一级放大子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管，所述第一场效应管与所述第二场效应管为用于接收输入的差分信号的差分输入对管，所述第二级放大子电路包括第五场效应管，所述电流偏置子电路包括第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应官相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第十一，效应管、与所述第八场效应管相连的第十二场效应管、与所述第九场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十场效应管相连的第十四场效应管、与所述第^场效应官相连的第十五场效应管、与所述第十五场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十六场效应管相连的第十七场效应管、与所述第十七场效应管相连的第十八场效应管、与所述第十八场效^管相连的第十九场效应管及第二十场效应管，所述高电源抑制比子电路包括所述第十场效应管、所述第十四场效应管、所述第十九场效应管、连接于所述第十四场效应管与所述第十九场效应管之间的第二十一场效应管及第一电容，所述补偿电容包括第二电容。[0008]所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极分别接收输入的差分信号，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级共同连接所述第六场效应管的漏极，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源级及所述第十八场效应管的漏极相连。[0009]所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源级及所述第十七场效应管的漏极相连;所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极、所述第十五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的栅极共同连接，所述第三场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极、所述第十一场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极及所述第十五场效应管的漏极相连。[0010]所述第四场效应管的漏极与所述第十三场效应管的漏极、所述第十四场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的漏极相连;所述第五场效管的漏极与所述第二十场效应管的漏极及所述第二电容的一端相连，并作为所述本发明高电源抑制比运算放大电路的输出端输出信号;所述第六场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管的栅极共同连接。[0011]所述第七场效应管的漏极与所述第十一场效应管的源级相连;所述第八场效应管的漏极与所述第十二场效应管的源级相连;所述第九场效应管的漏极与所述第十三场效应管的源级相连;所述第十场效应管的漏极与所述第十四场效应管的源级相连;所述第^^一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极及所述第十四场效应管的栅极共同连接;所述第十五场效应管的源级与所述第十六场效应管的漏极相连。[00121所述第十六场效应管的栅极、所述第十七场效应管的栅极、所述第十八场效应管的栅极、所述第十九场效应管的栅极及所述第二十场效应管的栅极共同连接;所述第十九场效应管的漏极与所述第二十一场效应管的源级及所述第二电容的另一端相连。[0013]所述第六场效应管的源级、所述第七场效应管的源级、所述第八场效应管的源级、所述第九场效应管的源级、所述第十场效应管的源级、所述第一电容的另一端及所述第五场效应管的源级共同连接电源端;所述第十六场效应管的源级、所述第十七场效应管的源级、所述第十八场效应管的源级、所述第十九场效应管的源级及所述第二十场效应管的源级共同连接地端。[0014]~所-第一场效应管、所述第二场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管、所述第十场效应管、所述第十一3效应管2^述第十二场效应管、所述第十三场效应管、所述第十四场效应管为P型场效应管，所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第十五场效应管、所述第十六场效应管、所述第十七场效应管、所述第十八场效应管、所述第十九场效应管、所述第二十场效应管、所述第二i^一场效应管为N型场效应管。[0015]本发明的有益效果是:提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比，为运算放大电路应用于高速系统中提供了解决方案。附图说明[0016]图1为本发明高电源抑制比运算放大电路的结构框图；[0017]图2为本发明高电源抑制比运算放大电路的具体电路结构图。具体实施方式[0018]下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案，但本发明的保护范围不局限于以下所述。[0019]如图1所示，本发明高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于第一级放大子电路与第二级放大子电路之间的高电源抑制比子电路及连接于第一级放大子电路与第二级放大子电路之间的补偿电容。[0020]其中，电流偏置子电路用于为高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，第一级放大子电路用于接收输入的差分信号并进行放大后传送至第二级放大子电路，可为高电源抑制比运算放大电路提供高的增益，第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出，并为高电源抑制比运算放大电路提供足够的输出摆幅，高电源抑制比子电路用于提高高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比，补偿电容为用于控制环路稳定性的补偿电容。[0021]请同时参阅图2,图2为本发明高电源抑制比运算放大电路的具体电路结构图。在本发明中，第一级放大子电路包括第一场效应管Ml、与第一场效应管Ml相连的第二场效应管M2、第三场效应管M3、与第三场效应管M3相连的第四场效应管M4，第一场效应管Ml、第二场效应管M2、第三场效应管M3及第四场效应管M4共同组成了折叠式共源共栅的第一级放大子电路，其中，第一场效应管Ml与第二场效应管M2为差分输入对管，用于接收输入的差分信号;第二级放大子电路包括第五场效应管M5;电流偏置子电路包括第六场效应管M6、与第六场效应管M6相连的第七场效应管M7、与第七场效应管M7相连的第八场效应管M8、与第八场效应管M8相连的第九场效应管M9、与第九场效应管M9相连的第十场效应管M10、与第七场效应管M7相连的第i^一场效应管Mil、与第八场效应管M8相连的第十二场效应管M12、与第九场效应管M9相连的第十三场效应管M13、与第十场效应管M10相连的第十四场效应管M14、与第十一场效应管Mil相连的第十五场效应管M15、与第十五场效应管M15相连的第十六场效应管Ml6、与第十六场效应管M16相连的第十七场效应管M17、与第十七场效应管M17相连的第十八场效应管Ml8、与第十八场效应管M18相连的第十九场效应管M19及第二十场效应管M20;高电源抑制比子电路包括第十场效应管M10、第十四场效应管M14、第十九场效应管Ml9、连接于第十四场效应管M14与第十九场效应管M19之间的第二十一场效应管M21及第一电容CAP1;补偿电容包括第二电容CAP2。[0022]本发明高电源抑制比运算放大电路的具体电路连接关系如下：第一场效应管犯的栅极与第二场效应管M2的栅极分别接收输入的差分信号INP、INN，第一场效应管Ml的源级与第一场效应管M2的源级共同连接第六场效应管M6的漏极，第一场效应管Ml的漏极与第四场效应管M4的源级及第十八场效应管M18的漏极相连;第二场效应管M2的漏极与第三场效应管M3的源级及第十七场效应管M17的漏极相连;第三场效应管M3的栅极、第四场效应管M4的栅极、第十五场效应管組5的栅极及第二^^一场效应管M21的栅极共同连接，并接收偏置电压VB3，第三场效应管M3的漏极与第七场效应管M7的栅极、第十一场效应管M1丨的漏极、第十二场效应管M12的漏极及第十五场效应管M15的漏极相连;第四场效应管M4的漏极与第十三场效应管M13的漏极、第十四场效应管M14的漏极、第一电容CAP1的一端、第五场效应管M5的栅极及第二十一场效应管M21的漏极相连;第五场效应管M5的漏极与第二十场效应管M2〇的漏极及第二电容CAP2的一端相连，并作为本发明高电源抑制比运算放大电路的输出端OUT输出信号;第六场效应管M6的栅极、第八场效应管姻的栅极、第九场效应管⑽的栅极及第十场效应管組0的栅极共同连接，并接收偏置电压乂81;第七场效应管[1[7的漏极与第^^一场效应管Mil的源级相连;第八场效应管M8的漏极与第十二场效应管肌2的源级相连;第九场效应管M9的漏极与第十三场效应管Ml3的源级相连;第十场效应管M10的漏极与第十四场效应管[4的源级相连;第^^一场效应管Mil的栅极、第十二场效应管町2的栅极、第十三场效应管M13的栅极及第十四场效应管M14的栅极共同连接，并接收偏置电压VB2;第十五场效应管M15的源级与第十六场效应管Ml6的漏极相连;第十六场效应管M16的栅极、第十七场效应管Ml7的栅极、第十八场效应管M18的栅极、第十九场效应管M19的栅极及第二十场效应管120的栅极共同连接，并接收偏置电压¥34;第十九场效应管組9的漏极与第二^^一场效应管M21的源级及第二电容CAP2的另一端相连;第六场效应管M6的源级、第七场效应管M7的源级、第八场效应管M8的源级、第九场效应管M9的源级、第十场效应管Ml0的源级、第一电容CAP1的另一端及第五场效应管M5的源级共同连接电源端AVDD;第十六场效应管Ml6的源级、第十七场效应管M17的源级、第十八场效应管M18的源级、第十九场效应管犯9的源级及第二十场效应管M20的源级共同连接地端AGND。[0023]其中，在本实施例中，第一场效应管M1、第二场效应管M2、第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8、第九场效应管M9、第十场效应管M10、第^一场效应管Mil、第十二场效应管Ml2、第十三场效应管M13、第十四场效应管M14为P型场效应管，第三场效应管M3、第四场效应管M4、第十五场效应管Ml5、第十六场效应管M16、第十七场效应管M17、第十八场效应管M18、第十九场效应管M19、第二十场效应管M20、第二^^一场效应管M21为N型场效应管，在其他实施例中，上述场效应管可以为其他结构可以实现相同功能的元器件，并不限于此。[0024]本发明高电源抑制比运算放大电路的工作原理如下：[00251差分信号INP、INN分别输入至第一级放大子电路中的第一场效应管M1及第二场效应管M2,电流偏置子电路产生整个电路所需的偏置电流，以保证运算放大电路中的场效应管均工作于正常饱和区域，第一场效应管Ml、第二场效应管M2、第三场效应管M3及第四场效应管M4组成了折叠式的共源共栅的第一级放大子电路，输入差分信号经过第一级放大子电路与第二级放大子电路进行放大后由输出端OUT输出。第一级放大子电路为运算放大电路提供了高的增益，高电源抑制比子电路中的第一电容CAP1保证了模拟电路的数字系统高频段部分的场效应管栅源电压不随电源信号变化而变化，高电源抑制比子电路阻止了电路的输出耦合到电源，提高了高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比，补偿电容CAP2提高了环路稳定性，第二级放大子电路为高电源抑制比运算放大电路提供了足够的输出摆幅。[00261本发明高电源抑制比运算放大电路通过差分对管的输入模式，同时采用电流折叠技术来提高电压的输出摆幅，在折叠的共栅端并联两条相同之路来隔离补偿反馈的耦合电容通路，从而达到提高电源抑制比的目的，再通过电容从输出耦合到折叠的偏置电流源漏端来补^环路的相位裕度，因此本发明能够将模拟电路的数字系统高频段部分的的电源抑制比提尚到-30至_40dB左右，为运算放大电路应用于高速系统中提供了解决方案。、[0027]综上所述，本发明高电源抑制比运算放大电路提高了运算放大电路的高频段部分的电源抑制比，为运算放大电路应用于高速系统中提供了解决方案。

权利要求：1.一种高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述高电源抑制比运算放大电路包括电流偏置子电路、与所述电流偏置子电路相连的第一级放大子电路、与所述第一级放大子电路相连的第二级放大子电路、连接于所述第一级放大子电路与所述第一级放大子电路之间用于提高所述高电源抑制比运算放大电路的电源抑制比的高电源抑制比子电路及连接于所述第一级放大子电路与所述第二级放大子电路之间用于控制环路稳定性的补偿电容，所述电流偏置子电路为所述高电源抑制比运算放大电路提供偏置电流，所述第:级放大子电路接收输入的差分信号并进行放大后传送至所述第二级放大子电路，所述第二级放大子电路对接收到的信号进行放大后输出。、2.根据权利要求1所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第一级放大子电路包括第一场效应管、与所述第一场效应管相连的第二场效应管、第三场效应管、与所述第三场效应管相连的第四场效应管，所述第一场效应管与所述第二场效应管为用于接收输入的差分信号的差分输入对管，所述第二级放大子电路包括第五场效应管，所述电流偏置子电路包括第六场效应管、与所述第六场效应管相连的第七场效应管、与所述第七场效应管相连的第八场效应管、与所述第八场效应管相连的第九场效应管、与所述第九场效应管相连的第十场效应管、与所述第七场效应管相连的第十一场效应管、与所述第八场效应管相连的第十二场效应管、与所述第九场效应管相连的第十三场效应管、与所述第十场效应管相连的第十四场效应管、与所述第十一场效应管相连的第十五场效应管、与所述第十五场效应管相连的第十六场效应管、与所述第十六场效应管相连的第十七场效应管、与所述第十七场效应管相连的第十八场效应管、与所述第十八场效应管相连的第十九场效应管及第二十场效应管，所述高电源抑制比子电路包括所述第十场效应管、所述第十四场效应管、所述第十九场效应管、连接于所述第十四场效应管与所述第十九场效应管之间的第二十一场效应管及第一电容，所述补偿电容包括第二电容。3.根据权利要求2所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的栅极分别接收输入的差分信号，所述第一场效应管的源级与所述第二场效应管的源级共同连接所述第六场效应管的漏极，所述第一场效应管的漏极与所述第四场效应管的源级及所述第十八场效应管的漏极相连。4.根据权利要求3所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第二场效应管的漏极与所述第三场效应管的源级及所述第十七场效应管的漏极相连;所述第三场效应管的栅极、所述第四场效应管的栅极、所述第十五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的栅极共同连接，所述第三场效应管的漏极与所述第七场效应管的栅极、所述第十一场效应管的漏极、所述第十二场效应管的漏极及所述第十五场效应管的漏极相连。5.根据权利要求4所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第四场效应管的漏极与所述第十三场效应管的漏极、所述第十四场效应管的漏极、所述第一电容的一端、所述第五场效应管的栅极及所述第二十一场效应管的漏极相连;所述第五场效应管的漏极与所述第二十场效应管的漏极及所述第二电容的一端相连，并作为所述本发明高电源抑制比运算放大电路的输出端输出信号;所述第六场效应管的栅极、所述第八场效应管的栅极、所述第九场效应管的栅极及所述第十场效应管的栅极共同连接。6.根据权利要求5所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第七场效应管的漏极与所述第十一场效应管的源级相连;所述第八场效应管的漏极与所述第十二场效应管的源级相连;所述第九场效应管的漏极与所述第十三场效应管的源级相连;所述第十场效应管的漏极与所述第十四场效应管的源级相连;所述第十一场效应管的栅极、所述第十二场效应管的栅极、所述第十三场效应管的栅极及所述第十四场效应管的栅极共同连接；所述第十五场效应管的源级与所述第十六场效应管的漏极相连。7.根据权利要求6所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第十六场效应管的栅极、所述第十七场效应管的栅极、所述第十八场效应管的栅极、所述第十九场效应管的栅极及所述第二十场效应管的栅极共同连接;所述第十九场效应管的漏极与所述第二十一场效应管的源级及所述第二电容的另一端相连。8.根据权利要求7所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于:所述第六场效应管的源级、所述第七场效应管的源级、所述第八场效应管的源级、所述第九场效应管的源级、所述第十场效应管的源级、所述第一电容的另一端及所述第五场效应管的源级共同连接电源端;所述第十六场效应管的源级、所述第十七场效应管的源级、所述第十八场效应管的源级、所述第十九场效应管的源级及所述第二十场效应管的源级共同连接地端。9.根据权利要求2所述的高电源抑制比运算放大电路，其特征在于：所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第^场芒应管、所述第九场效应管、所述第十场效应管、所述第十一场效应管、所述第十二场产应管、所述第十三场效应管、所述第十四场效应管为p型场效应管，所述第三场效应管、所述第四场，应管、所述第十五场效应管、所述第十六场效应管、所述第十七场效应管、所述第十八场效应管、所述第十九场效应管、所述第二十场效应管、所述第二^^一场效应管为N型场效应管。

百度查询： 成都锐成芯微科技股份有限公司 高电源抑制比运算放大电路