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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2018-11-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN113053806B
主分类号：H01L21/768
分类号：H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/18;H01L21/762
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.07.16#实质审查的生效;2021.06.29#公开
摘要：本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种键合结构及其形成方法、晶圆键合结构及晶圆的键合方法。所述晶圆间键合结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成停止层，所述停止层的材料为掺碳的氮化硅；在所述停止层中形成通孔，所述通孔不插入所述衬底；形成保护层，所述保护层覆盖所述通孔的侧壁和底部表面；在所述保护层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述通孔；平坦化所述金属材料层直至停止层，从而在所述通孔中形成键合金属层，所述键合金属层和两侧的停止层构成键合结构。本发明的方法防止了键合金属层表面凹陷缺陷的产生，提高了键合的强度。
主权项：1.一种键合结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成停止层，所述停止层的材料为掺碳的氮化硅，所述停止层中碳元素的摩尔百分比浓度为10%~30%；在所述停止层中形成通孔，所述通孔不插入所述基底；形成保护层，所述保护层覆盖所述通孔两侧的所述停止层的表面、所述通孔的侧壁和底部表面，所述保护层用于防止在对所述通孔进行预清洗工艺时，所述停止层中的碳元素被轰出；在所述保护层上形成金属材料层，所述金属材料层填充满所述通孔，所述停止层与所述金属材料层的研磨选择比为8:1~15：1，所述预清洗工艺在所述金属材料层形成之前进行；平坦化所述金属材料层直至停止层，从而在所述通孔中形成键合金属层，所述键合金属层和两侧的停止层构成键合结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 键合结构及其形成方法、晶圆键合结构及晶圆的键合方法
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