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申请/专利权人：三星电子株式会社
申请日：2019-09-11
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111048486B
主分类号：H01L23/528
分类号：H01L23/528;H01L29/78
优先权：["20181015 KR 10-2018-0122554"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.10.29#实质审查的生效;2020.04.21#公开
摘要：公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极漏极图案，所述源极漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极漏极图案，所述源极漏极图案位于所述衬底上并与所述栅电极间隔开；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上，其中，所述栅极接触插塞包括：第一栅极接触段，所述第一栅极接触段包括第一金属插塞和位于所述第一金属插塞的侧壁上的第一阻挡图案；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸，其中，所述第一栅极接触段的上部宽度大于所述第二栅极接触段的下部宽度，其中，所述第二栅极接触段的顶表面和侧壁以及所述第一金属插塞的底表面不存在所述第一阻挡图案，其中，所述第一金属插塞的所述底表面与所述栅电极的顶表面接触，其中，所述第一栅极接触段包括所述第一金属插塞的下部，并且所述第二栅极接触段包括所述第一金属插塞的上部，并且其中，所述第一金属插塞具有随着与所述栅电极的距离增大而增加的宽度。
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