申请/专利权人：三星电子株式会社;秀博瑞殷株式会社

申请日：2019-09-18

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN110911278B

主分类号：H01L21/306

分类号：H01L21/306;C23F1/18;C23F1/26;C23F1/20;C23F1/28

优先权：["20180918 KR 10-2018-0111342"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.09.28#实质审查的生效;2020.03.24#公开

摘要：公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

主权项：1.一种蚀刻金属阻挡层和金属层的方法，所述方法包括：在衬底上形成所述金属阻挡层和所述金属层，其中，所述金属层包括钨、铝、铜、钼或钴中的至少一种，并且所述金属阻挡层包括氮化钛层、氮化钽层、氮化钨层、氮化镍层、氮化钴层或氮化铂层中的至少一种；以及使用蚀刻组合物蚀刻所述金属阻挡层和所述金属层，使得所述金属层的蚀刻速率与所述金属阻挡层的蚀刻速率的比率范围为1.0至2.0，以形成金属阻挡图案和金属图案，其中，所述蚀刻组合物包括：氧化剂，所述氧化剂选自于由硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸和它们的组合组成的组；金属蚀刻抑制剂，所述金属蚀刻抑制剂包括由下面的式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，所述金属氧化物增溶剂选自于由磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸和它们的组合组成的组， 其中，在式1中，R1和R2独立地为氢、C1-C10烷基、C3-C10烯基、C3-C10炔基或C1-C10烷氧基，R3为氢、氨基、C1-C10烷基氨基、C3-C10芳基氨基、C1-C10烷基、C3-C10烯基、C3-C10炔基或C1-C10烷氧基，n是等于或大于1的整数，R1、R2和R3独立地为未取代的或者取代有羟基，其中，相对于所述蚀刻组合物的总重量，所述金属蚀刻抑制剂的量为0.01重量％至10重量％。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 秀博瑞殷株式会社 蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法

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