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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日：2019-09-20
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN112542380B
主分类号：H01L21/285
分类号：H01L21/285;H01L29/45;H01L29/47
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2021.04.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开
摘要：本发明公开了一种异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件，其中，异质结结构的制作方法包括：提供一具有原子台阶形貌的GaN衬底，在GaN衬底的表面上生长石墨烯层；其中，将GaN衬底的原子台阶的宽度设置为大于60nm，使得GaN衬底与石墨烯层之间形成具有欧姆接触特性的异质结结构；或者是，将所述GaN衬底的原子台阶的宽度设置为小于20nm，使得GaN衬底与石墨烯层之间形成具有肖特基接触特性的异质结结构。本发明方便了石墨烯GaN异质结结构的使用。本发明的电极结构和电子器件均采用了通过上述制作方法来制作的异质结结构。
主权项：1.一种异质结结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一具有原子台阶形貌的GaN衬底，在所述GaN衬底的表面上生长石墨烯层；其中，将所述GaN衬底的斜切角设置为小于0.25度，且将所述GaN衬底的原子台阶的宽度设置为大于60nm，以形成具有欧姆接触特性的异质结结构；或者是，将所述GaN衬底的斜切角设置为大于0.75度，且将所述GaN衬底的原子台阶的宽度设置为小于20nm，以形成具有肖特基接触特性的异质结结构；其中，所述GaN衬底为单晶GaN衬底，所述GaN衬底的位错密度小于5x106cm-2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 异质结结构的制作方法及电极结构和电子器件
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