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申请/专利权人：日亚化学工业株式会社
申请日：2021-09-28
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN114316978B
主分类号：C09K11/79
分类号：C09K11/79;H01L33/50
优先权：["20200930 JP 2020-165313","20210525 JP 2021-087486"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.07.25#实质审查的生效;2022.04.12#公开
摘要：本发明的课题在于提供输出光的强度更大的波长转换构件。其解决方法是上述波长转换构件，其具备支撑体和配置于所述支撑体上的波长转换层，所述波长转换层具有包含组成由下述式1表示的荧光体的荧光体层。波长转换构件的所述荧光体层的厚度为5μm以上且155μm以下，在与所述波长转换层对于所述支撑体的配置面正交的截面中，相对于所述波长转换层的截面积，所述荧光体的粒子截面积的总和的比率为5％以上且小于40。下述式1中，M1表示La及Ce以外的选自稀土类元素中的至少1种，M1中的Y、Gd及Lu的总摩尔含有率为90％以上，p、q、r及s满足2.7≤p+q+r≤3.3、0≤r≤1.2、10≤s≤12、以及0＜q≤1.2。LapCeqM1rSi6Ns1。
主权项：1.一种波长转换构件，其具备支撑体和配置于所述支撑体上的波长转换层，所述波长转换层具有包含组成由下述式1表示的荧光体的荧光体层，所述荧光体层的厚度为5μm以上且155μm以下，在与所述波长转换层对于所述支撑体的配置面正交的截面中，相对于所述波长转换层的截面积，所述荧光体的粒子截面积的总和的比率为5％以上且小于40％，LapCeqM1rSi6Ns1在所述式1中，M1表示La及Ce以外的选自稀土类元素中的至少1种，M1中的Y、Gd及Lu的总摩尔含有率为90％以上，p、q、r及s满足2.7≤p+q+r≤3.3、0≤r≤1.2、10≤s≤12、以及0＜q≤1.2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日亚化学工业株式会社 波长转换构件及发光装置
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