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申请/专利权人：上海理工大学
申请日：2024-06-05
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118291941A
主分类号：C23C14/35
分类号：C23C14/35;C23C14/14;G01N21/65
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种基于台阶结构表面增强拉曼散射基底材料的制备方法，包括以下步骤：S1、通过理论仿真，获得一种具有表面增强拉曼散射台阶结构复合金属薄膜的电磁场强度分布，并确定所述复合金属薄膜的结构参数；S2、根据步骤S1中电磁场强度分布结果，在真空条件下，通过磁控溅射沉积技术在基片表面制备厚度为10‑100nm的金属钛薄膜；S3、将金属钛薄膜部分面积进行遮挡，通过物理气相沉积技术在未遮挡的金属钛薄膜上沉积与金属钛薄膜相同厚度的金属钨薄膜；S4、金属钛薄膜与金属钨薄膜之间形成台阶结构，由此在基片上形成钛‑钨异质金属台阶结构。根据本发明，该方法操作简单，制备工艺流程绿色环保，制备周期短，成本低，可大面积生产等优点。
主权项：1.一种基于台阶结构表面增强拉曼散射基底材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过理论仿真，获得一种具有表面增强拉曼散射台阶结构复合金属膜的电磁场强度分布，并确定所述复合金属膜的结构参数；S2、根据步骤S1中电磁场强度分布结果，在真空条件下，通过磁控溅射沉积技术在基片表面制备厚度为10-100nm的金属钛薄膜；S3、将金属钛薄膜部分面积进行遮挡，通过物理气相沉积技术在未遮挡的金属钛薄膜上沉积与金属钛薄膜相同厚度的金属钨薄膜；S4、金属钛薄膜与金属钨薄膜之间形成台阶结构，由此在基片上形成钛-钨异质金属台阶结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海理工大学 一种基于台阶结构表面增强拉曼散射基底的制备方法
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