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一种磁阵列结构及包含其的大口径的微波放电离子源 

申请/专利权人:西安交通大学

申请日:2024-05-08

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118299146A

主分类号:H01F7/02

分类号:H01F7/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明属于空间电推进领域,涉及一种大口径的微波放电离子源的磁阵列结构,包括多根瓦型Halbach磁体;每根瓦型Halbach磁体的磁场增强方向呈张角指向分布圆的中心,多根瓦型Halbach型永磁体在圆周上均匀分布,呈喇叭状。在喇叭窄口处形成易电离条件,产生指向喇叭敞口的磁场梯度,能够利用磁场梯度漂移诱导等离子体向喇叭下游迁移,提高放电室下游等离子体密度。喇叭状分布瓦型Halbach永磁体可为较宽频率范围的微波提供放电条件,实现工业微波源和定制微波源的泛用化。并围绕改进后的磁阵列结构进行了微波离子源结构创新,研发了大口径微波放电离子源,贯彻了磁阵列无高温退磁风险、承载功率更高、性能更优的独特优势。

主权项:1.一种大口径的微波放电离子源的磁阵列结构,其特征在于,所述磁阵列结构包括多根瓦型Halbach磁体8;每根瓦型Halbach磁体8的磁场增强方向呈张角指向分布圆的中心,多根瓦型Halbach型永磁体在圆周上均匀分布,呈喇叭状。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种磁阵列结构及包含其的大口径的微波放电离子源

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