申请/专利权人:浙江芯劢微电子股份有限公司
申请日:2024-05-15
公开(公告)日:2024-07-05
公开(公告)号:CN118300554A
主分类号:H03G3/30
分类号:H03G3/30;H03F1/56;H03K5/22
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要:本发明公开了一种低频增益增强的比较器电路结构,包括第一NMOS管和第二NMOS管,以及第一电阻和第二电阻,所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极相连通,所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别接地,所述第一电阻与所述第二电阻之间串联,本发明提供的技术方案通过在常规的电流镜放大器基础上改变第一级负载的这种结构,从而增强低频增益,这样能让差分输入端信号差小的情况下也能充分放大到满摆幅。
主权项:1.一种低频增益增强的比较器电路结构,其特征在于,包括第一NMOS管和第二NMOS管,以及第一电阻和第二电阻,所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极相连通,所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别接地,所述第一电阻与所述第二电阻之间串联,所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的栅极连接至所述第一电阻与所述第二电阻之间,所述第一NMOS管的漏极连接所述第一电阻未与所述第二电阻连接的一端,所述第二NMOS管的漏极连接所述第二电阻未与所述第一电阻连接的一端。
全文数据:
权利要求:
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