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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118291924A
主分类号：C23C14/24
分类号：C23C14/24;C23C14/54
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及一种基于多点晶控实现蒸发膜料组份的监控装置及其监控方法，其中监控装置包括：真空室、工件盘、镀膜基板、至少两个蒸发源、挡板、晶控探头、阻隔板以及计算机控制模块，蒸发源蒸发的膜料附着到所述晶控探头的晶体片上，晶控探头通过晶体震荡频率的变化获取晶体片上的薄膜厚度和沉积速率；阻隔板的安装位置使所述晶控探头只能沉积对应蒸发源蒸发的膜料；计算机控制模块用于计算晶控探头反馈的薄膜厚度和沉积速率。本发明优点在于可以针对多种薄膜膜料分别获得独立的沉积速率，可以实时精确的监控复合膜料镀膜过程中的沉积速率和各组份的配比，实现共蒸发复合膜料的高精度实时监控。
主权项：1.一种基于多点晶控实现蒸发膜料组份的监控装置，包括：用于提供真空环境的真空室，在所述真空室的室内顶部设有工件盘，所述工件盘上设有镀膜基板，在所述镀膜基板的下方设有至少两个蒸发源，以及设置在所述蒸发源上方且与所述蒸发源数量相同的可移动的挡板；每个所述蒸发源蒸发的膜料不同，其特征在于，还包括：晶控探头，所述晶控探头的数量与所述蒸发源的数量相同，且位于所述挡板的上方，所述蒸发源蒸发的膜料附着到所述晶控探头的晶体片上，所述晶控探头通过晶体震荡频率的变化获取所述晶体片上的薄膜厚度和沉积速率；阻隔板，所述阻隔板设置在所述晶控探头的上方靠近所述工件盘的一侧，所述阻隔板的安装位置使所述晶控探头只能沉积对应所述蒸发源蒸发的膜料；计算机控制模块，所述计算机控制模块用于计算所述晶控探头反馈的薄膜厚度和沉积速率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 基于多点晶控实现蒸发膜料组份的监控装置及其监控方法
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