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申请/专利权人：江苏应能微电子股份有限公司
申请日：2024-06-05
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299408A
主分类号：H01L29/73
分类号：H01L29/73;H01L29/04;H01L21/331
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提供一种用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺，所述器件为NPN器件或PNP器件，包括：第二导电类型衬底，在第二导电类型衬底上制作有第二导电类型阱基区；在第二导电类型阱基区中的靠表面区域分别制作有左右对称的阳极沟槽区和阴极沟槽区；在阳极沟槽区的内壁制作有阳极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜，在阴极沟槽区的内壁制作有阴极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜；在阳极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜上制作有阳极金属形成器件阳极，在阴极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜上制作有阴极金属形成器件阴极；以消除用于ESD防护的NPN或PNP器件的回扫特性，消除ESD引起的闩锁效应。
主权项：1.一种用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件，所述器件为NPN器件或PNP器件，其特征在于，包括：第二导电类型衬底1，在第二导电类型衬底1上制作有第二导电类型阱基区11；在第二导电类型阱基区11中的靠表面区域分别制作有左右对称的阳极沟槽区201和阴极沟槽区202；在阳极沟槽区201的内壁制作有阳极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜21，在阴极沟槽区202的内壁制作有阴极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜22；在阳极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜21上制作有阳极金属31形成器件阳极，在阴极第一导电类型高掺杂多晶硅薄膜22上制作有阴极金属32形成器件阴极；所述器件的阳极和阴极能够互换。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏应能微电子股份有限公司 用于ESD防护的高掺杂多晶硅器件与工艺
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