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申请/专利权人：北京齐碳科技有限公司
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118291231A
主分类号：C12M1/00
分类号：C12M1/00;C12M1/34;B01L3/00;B81C1/00;B82Y15/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请公开孔阵列层结构和孔阵列层结构的制备方法，孔阵列层结构包括基板、第一限定层、第二限定层和改性区域，基板一侧设有电极；第一限定层设置于基板，第一限定层与电极位于基板的同一侧，第一限定层上设有沿厚度方向贯穿第一限定层的第一孔部，电极在基板的正投影与第一孔部在基板的正投影重叠或位于第一孔部在基板的正投影之内；第二限定层设置于第一限定层背离基板的一侧，第二限定层上设有沿厚度方向贯穿第二限定层的第二孔部，第一孔部在基板的正投影位于第二孔部在基板的正投影之内；改性区域通过紫外光处理呈亲水性，至少部分电极属于改性区域。
主权项：1.一种孔阵列层结构，包括：基板，所述基板一侧设有电极；第一限定层，设置于所述基板，所述第一限定层与所述电极位于所述基板的同一侧，所述第一限定层上设有沿厚度方向贯穿所述第一限定层的第一孔部，所述电极在所述基板的正投影与所述第一孔部在所述基板的正投影重叠或位于所述第一孔部在所述基板的正投影之内；第二限定层，设置于所述第一限定层背离所述基板的一侧，所述第二限定层上设有沿所述厚度方向贯穿所述第二限定层的第二孔部，所述第一孔部在所述基板的正投影位于所述第二孔部在所述基板的正投影之内；所述孔阵列层结构，其特征在于，还包括改性区域，所述改性区域通过紫外光处理呈亲水性，至少部分所述电极属于所述改性区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京齐碳科技有限公司 孔阵列层结构和孔阵列层结构的制备方法
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