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低膨胀硅碳负极材料及其制备方法、负极片和扣电电池 

申请/专利权人:硅宝(眉山)新能源材料有限公司;成都硅宝科技股份有限公司

申请日:2024-04-07

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118299538A

主分类号:H01M4/36

分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/58;H01M4/62;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M10/052;H01M4/134;H01M4/136

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开了低膨胀硅碳负极材料及其制备方法、负极片和扣电电池,属于二次电池技术领域,尤其涉及两类负极材料硅负极结构1及硅负极结构2。硅负极结构1与硅负极结构2均包含四类成分:内部的基体材料、内部基体周围硅成分、内部的硅碳化硅成分、表面包覆层。在本发明的硅负极结构1中,硅成分主要包覆在碳化硅成分表面。在本发明的硅负极结构2中,硅成分与碳化硅成分均分散在基体结构中。硅负极结构1通过气相工艺制备,硅负极结构2通过砂磨球磨工艺制备。本发明通过在硅碳负极材料中引入微量碳化硅,不仅兼顾容量和首效,而且极片的480mAhg容量膨胀率明显降低。

主权项:1.低膨胀硅碳负极材料,其特征在于,包括内层材料和表面包覆层,表面包覆层包覆在内层材料的表面,内层材料包括多孔基体材料、硅成分、碳化硅成分,硅成分、碳化硅成分分布在多孔基体材料内。

全文数据:

权利要求:

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